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酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開
酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、SiC、GaNと比較して高耐圧・低消費電力、低コスト化が期待される酸化ガリウムパワーデバイスについて、その材料とデバイスの基礎から最先端の開発状況を解説いたします。
開催日
- 2018年2月26日(月) 12時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- 酸化ガリウム半導体の研究開発・企画戦略・生産製造に携わる技術者、開発者
- 電機メーカー
- 自動車メーカー
- 半導体材料・装置メーカーなど
修得知識
- Ga2O3物性の基礎知識
- 各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題
- バルク・基板
- エピタキシャル薄膜成長
- デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) など
プログラム
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。
- はじめに
- Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
- 将来的なGa2O3デバイスの用途
- Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
- 単結晶バルク融液成長
- 単結晶Ga2O3ウェハー
- Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
- オゾンMBE成長
- プラズマMBE成長
- HVPE成長
- Ga2O3トランジスタ開発
- 横型MESFET
- 横型DモードMOSFET
- 横型フィールドプレートMOSFET
- 横型EモードMOSFET
- 縦型DモードMOSFET (CAVET)
- 海外のGa2O3トランジスタ開発動向
- Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
- HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
- 縦型フィールドプレートSBD
- まとめ、今後の課題
- 質疑応答
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
案内割引・複数名同時申込割引について
R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
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複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 23,139円(税別) / 24,990円(税込) で受講いただけます。
- R&D支援センターからの案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 43,750円(税別) / 47,250円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 46,278円(税別) / 49,980円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 69,417円(税別) / 74,970円(税込)
- R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 46,278円(税別) / 49,980円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 92,556円(税別) / 99,960円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 138,833円(税別) / 149,940円(税込)
本セミナーは終了いたしました。
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