技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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(2017年1月18日 10:30〜12:10)
高速スイッチング可能で、低オン抵抗なGaNパワーデバイスは、今後のスイッチング電源に革命をもたらす、魅力的なデバイスとして注目を浴びています。ただし、いくら魅力的なデバイスでも、その性能を引き出すには、適切な実装をしないといけません。実装技術は、大変重要な技術です。しかし、どのような考え方で設計するのか、その基本理論は、これまであまり系統的に解説されることがありませんでした。なんとなく、地味なイメージを持つ人も多いでしょう。
そこで、今回のセミナーでは、これまであまり語られなかった実装の基本的な考え方を、GaNデバイスの利用の観点から解説します.
(2017年1月18日 13:00〜14:40)
(2017年1月18日 14:50〜16:30)
最近、Si基板上のAlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイスの研究開発が注目を浴びている。
本講座では、MOCVD法を用いて成長した大口径Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長、デバイス特性及び研究開発動向に関して解説する。
また、最新の研究としてSi基板上の縦型GaN p – nダイオードについて紹介する。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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