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徹底解説 パワーデバイス

徹底解説 パワーデバイス

~構造、結晶/基板、製造技術、用途展開を基礎から最新動向まで総まくり~
東京都 開催 会場 開催

概要

本セミナーでは、パワーデバイスについて基礎から構造、製造、用途展開、技術動向まで詳解いたします。

開催日

  • 2016年7月21日(木) 10時30分16時30分

受講対象者

  • パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など
  • パワーエレクトロニクス/パワーデバイスで課題を抱えている方
  • これからパワーエレクトロニクス/パワーデバイスに携わる方

修得知識

  • パワーエレクトロニクス/パワーデバイス産業構造
  • パワーデバイスの用途、構造、設計指針
  • ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と開発ターゲット
  • パワーデバイス用結晶の特異性
  • SiCパワーデバイスの構造、製造プロセスと課題
  • GaNパワーデバイスの構造、製造プロセスと課題

プログラム

 パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、SiCやGaNなどのワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
 Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

  1. Siパワーデバイス
    1. パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
    2. Siパワーデバイスの用途と産業構造
    3. Siパワーデバイスの進化と技術開発動向
  2. ワイドギャップ半導体パワーデバイスへの期待
    1. ワイドギャップ半導体の優位性
    2. ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
  3. パワーデバイス用結晶の開発動向
    1. パワーデバイス用Si結晶
    2. パワーデバイス用SiC結晶
    3. パワーデバイス用GaN結晶
  4. SiCパワーデバイス
    1. SiCパワーデバイスの構造と製造プロセス
    2. SiCパワーデバイスの課題
  5. GaNパワーデバイス
    1. GaNパワーデバイスの構造と製造プロセス
    2. GaNパワーデバイスの課題
  6. まとめ
    • 質疑応答

講師

会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

6階 中会議室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 42,750円 (税別) / 46,170円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,300円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 22,500円(税別) / 24,300円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,750円(税別) / 46,170円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 72,900円(税込)
  • 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
  • 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
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