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めっきの基礎と膜形成・観察・解析技術

めっきの基礎と膜形成・観察・解析技術

～SEM (走査型電子顕微鏡) およびFIB (集束イオンビーム) 法によるめっき膜の観察・評価について～
東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、めっきの基礎から解説し、電解めっき (Cu,Sn-Cu, Au,Ni) 、無電解めっき (Ni、ジンケ – ト処理) について課題や膜形成のポイントを解説いたします。

開催日

  • 2015年12月24日(木) 12時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • めっきで課題を抱えている方
  • めっきに関連する技術者
  • 薄膜および薄膜素子を研究開発、量産されている解析に興味のある初中級者

修得知識

  • めっきの基礎知識
  • めっき膜の形成・観察・分析のポイント
  • SEMの信号モードと解析内容の違い
  • FIBによる断面観察技術のポイント
  • FIBによるTEM用試料の作製とSTEM観察、組成分析の実際

プログラム

　電気化学析出法であるめっき法を用いた膜形成、評価例さらに応用について紹介する。電解めっきの例としてはCu,Sn – Cu, Au,Ni,めっき.無電解めっきとしては、Niめっき、ジンケ – ト処理について課題となる点を取り上げ、膜形成におけるポイントについて紹介する。また、めっき膜評価として膜の形態観察、結晶構造評価、機械特性評価について膜作製条件との関係について述べる。最後にめっき応用例としてAuナノポーラス構造の生成や評価についても述べる。めっき法を用いた膜形成の基礎検討から工業化レベルまでの知識が得られる。

第1部 「電解・無電解めっき法を用いた膜形成および評価」

(2015年12月24日 12:30～14:10)

  1. はじめに
  2. めっきについて ～電気化学の観点から～
  3. 電解めっきについて
    1. Cuめっき
    2. Sn-Cuめっき
    3. Auめっき
    4. Niめっき (Ni-Feめっき)
  4. 無電解めっきについて
  5. めっき応用例
    • 質疑応答

第2部 「走査型電子顕微鏡SEMおよび集束イオンビームFIB法による薄膜解析」

(2015年12月24日 14:20～16:00)

  1. はじめに
  2. 走査型電子顕微鏡による観察
    1. SEMによる分析
      1. SEMの構造
      2. SEMからの信号
    2. 電子銃、加速電圧と分解能
      1. 電磁レンズと分解能
      2. 電子放出
    3. 検出器とSEM像の違い
      1. 検出器の原理
      2. SEM像の違い
    4. 断面観察法
      1. 機械研磨
      2. Arビームによる研磨
  3. FIB/SEMによる観察
    1. FIB観察法の概略
      1. FIBの原理
      2. FIB/SEMの利点
    2. FIB/SEM加工の実際
    3. STEM、TEM観察法
      1. 極薄膜加工およびマクロサンプリング法の実際
      2. STEM、TEM観察
  4. 組成分析
    1. 薄膜の組成分析
    2. EDXによる組成分析の概略
    3. 薄膜組成の定性/定量分析
      1. 組成分析の問題点
      2. 薄膜の定量組成分析
    4. 局所分析
      1. 局所的組成分析の課題
      2. STEによる組成分析と分解能
  5. その他
    • 質疑応答
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会場

江東区産業会館

第1会議室

東京都 江東区 東陽4丁目5-18
江東区産業会館の地図
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主催

株式会社 R&D支援センター
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)

割引特典について

  • R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
    • 1名でお申込みいただいた場合、1名につき 43,750円 (税別) / 47,250円 (税込)
    • 複数名で同時にお申し込みいただいた場合、1名につき 23,139円 (税別) / 24,990円 (税込)
    • 案内登録をされない方は、1名につき 46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
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