技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、ナノインプリントリソグラフィによる微細パターン形成技術と欠陥対策について詳解いたします。
(2015年7月8日 10:30〜12:00)
(2015年7月8日 12:45〜14:15)
離型プロセスは、歩留りを左右する大きなポイントです。本講では、離型の力学的なメカニズムについて、コンピュータシミュレーション析を駆使し、その本質を紹介します。さらに、離型に関する材料の評価方法についても触れるとともに、欠陥を抑える離型方法について紹介します。
(2015年7月8日 14:30〜16:00)
半導体リソグラフィ技術では、微細化の要求からダブルパターニングによる量産が開始されたものの、プロセスコストの高騰が課題である。リソグラフィの進化は微細化とともに進化していきたが、微細化によるプロセスコストの高騰は微細化だけではなく低コストパターニングを求める技術が多く勃興している。ナノインプリントリソグラフィは、シングル露光を行うことで懸かる課題を克服できる期待があり、量産化に向けた技術的な課題の克服がなされている。しかし、ナノインプリントは接触型のパターン転写技術なので欠陥の制御が困難であるためデバイスの試作転写技術として使われているもの、大量の半導体デバイスを生産する量産工場への導入は行われてこなかった。しかし、装置、材料、テンプレート (パターン原版) 技術を支える装置・材料メーカの努力によって、ナノインプリントリソグラフィの量産導入への道が開きつつある。
本報告では、現在のマルチパターニング、EUVL、自己組織化リソグラフィの状況を概観しながら、ナノインプリントリソグラフィ技術開発の最新の状況と課題について述べる。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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発行年月 | |
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