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ゲート絶縁膜の物性制御と形成プロセスの新展開

ゲート絶縁膜の物性制御と形成プロセスの新展開

～High-k膜からGe,SiCの熱酸化まで～
東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーではHigh-k膜の基礎から解説し、高誘電率化のための材料設計、閾値シフトの原因と制御、Ge熱酸化機構と制御、SiC熱酸化機構と制御について詳解いたします。

開催日

  • 2014年7月28日(月) 13時00分 ～ 16時30分

修得知識

  • High-k膜の物性の基礎
  • 高誘電率化のための材料設計指針
  • 界面ダイポール現象による閾値シフトの原因と制御
  • Ge熱酸化機構とその制御方法
  • SiC熱酸化機構とその制御方法

プログラム

　かつてSi上の熱酸化の緻密な制御によって支えられてきたゲート絶縁膜技術は、高誘電率ゲート絶縁膜 (High-k膜) の導入によって複雑化している。本講演ではHigh-k膜の基礎的な理解と、その導入に伴って新たに生じる諸現象について解説する。また、ゲート絶縁膜形成プロセスはCMOS用の高移動度チャネルとなるGeや、パワーMOSFET用のSiCにおいて重要な役割を担っている。これら2つの新たなMOS界面について、その特性制御のための技術の展開を紹介する。

  1. High-k膜の基礎物性と誘電率の制御
    1. High-k膜に要求される物性
    2. 誘電率の起源,高誘電率化のための材料設計
    3. 元素ドーピングによるHigh-k膜の物性制御
  2. High-k膜導入による閾値シフト
    1. MOSキャパシタのフラットバンド電圧シフト
    2. 界面ダイポール効果によるフラットバンド電圧シフトとその機構の理解
  3. 熱酸化膜形成プロセスの新展開
    1. Ge熱酸化機構の理解に基づくMOS界面特性制御と高移動度MOSFETの実現
    2. SiCパワーMOSFETのためのMOS界面形成技術
    • 質疑応答
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講師

  • 喜多 浩之 氏
    東京大学 大学院 新領域創成科学研究科
    教授
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会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

5F 第1講習室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名同時申込みで1名分無料
    • 1名あたり定価半額の20,000円(税別) / 21,600円 (税込)
    • 2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
    • 同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
    • 3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
    • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
    • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
      申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
    • 他の割引は併用できません。
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