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半導体デバイスにおける低温・常温接合のポイントと今後の展望

半導体デバイスにおける低温・常温接合のポイントと今後の展望

オンライン 開催

概要

本セミナーでは、半導体デバイスにおいて重要性が高まっている低温・常温接合技術について、基礎原理、最新の研究開発動向、実際のデバイス応用事例まで解説いたします。

配信期間

  • 2026年6月8日(月) 10時30分2026年6月22日(月) 16時30分

お申し込みの締切日

  • 2026年6月19日(金) 16時30分

修得知識

  • 低温・常温接合技術の主要なアプローチと接合原理、界面構造と特徴
  • 低温・常温接合の半導体デバイスへの応用事例、今後の展開

プログラム

 本講演では、半導体デバイスにおいて重要性が高まっている低温・常温接合技術について、基礎原理から最新の研究開発動向、ならびに実際のデバイス応用事例までを解説する。
 まず、接合技術の分類や低温接合の特徴を概説した上で、表面活性化接合、親水化接合、原子拡散接合といった代表的手法について、接合原理、界面構造、装置構成、長所・短所を比較しながら説明する。
 さらに、国際学会における研究動向やキープレイヤーを紹介するとともに、SOIやハイブリッドボンディングなどへの応用例を通じて、低温接合技術の社会実装の現状と今後の展望について議論する。

  1. 低温・常温接合の概論
    1. 講演者の略歴と研究活動の概要
    2. 接合技術の分類
      1. 直接接合vs間接接合
      2. 高温接合vs低温接合
    3. 低温接合の長所・短所
    4. 低温接合のアプローチ
      1. 表面活性化接合
      2. 親水化接合
      3. 原子拡散接合
    5. 関連する国際学会から見る研究開発動向
      1. 最新の研究動向
      2. 国別に見た研究内容とキープレイヤー
  2. 表面活性化接合
    1. 接合原理
    2. 研究の歴史
    3. 界面構造
    4. 主要な研究者
    5. 装置構成
    6. 長所・短所
    7. 近年の研究動向
    8. 将来への期待
  3. 親水化接合
    1. 接合原理
    2. 研究の歴史
    3. 界面構造
    4. 主要な研究者
    5. 装置構成
    6. 長所・短所
    7. 近年の研究動向
    8. 将来への期待
  4. 原子拡散接合
    1. 接合原理
    2. 研究の歴史
    3. 界面構造
    4. 主要な研究者
    5. 装置構成
    6. 長所・短所
    7. 近年の研究動向
    8. 将来への期待
  5. デバイスへの応用
    1. Silicon-on-Insulator
    2. Hybrid bonding
    3. 積層型太陽電池
    4. MEMS封止
    5. 異種材料接合型デバイス
    6. 社会実装への課題
    • 質疑応答

講師

  • 松前 貴司
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ハイブリッド機能集積研究部門
    主任研究員

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

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    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

アーカイブ配信セミナー

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  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2026年6月8日〜22日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

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