技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、次世代パワー半導体に対応する接合材料への要求特性、Ag系、Cu系接合材の開発動向とアルミ銅被覆ワイヤーによる高信頼接合技術について解説いたします。
(2025年7月22日 10:30〜12:00)
SiCやGaN等の次世代パワー半導体の接合に用いられる材料は、鉛フリー、優れた接合強度、高い熱伝導性、高い電気伝導性,低い熱膨張係数、および低コスト化が求められている。次世代パワー半導体向けの接合材料の一つとして銀 (Ag) が着目されているが、Agの素材価格は比較的高価であり、半導体基板との熱膨張係数が大きく異なるため接合部の応力付加が課題となっている。
現在、当研究グループは、液体急冷法を用いてAg-Si合金ベースの接合材料の開発を進めており、液体急冷Ag-Si合金の準安定相からAgの析出現象を利用した新たな接合技術に取り組んでおり、これらについての説明を行う。
(2025年7月22日 13:00〜14:00)
SiCパワー半導体デバイスにおいて高電流密度化および高温動作化を目指した場合に直面する課題について議論を行う。
超音波接合技術の中でもウェッジボンディング技術を用いたチップ表面への太線ワイヤ接合部の信頼性向上を課題とし、パワー半導体の実動作を模したパワーサイクル試験における接合寿命の長寿命化を目指して、ワイヤとボンディングパッドの材質の改善を行い、実験と有限要素解析の双方の観点から、繰り返し熱疲労に強いワイヤ接合部の構造について考察する。
(2025年7月22日 14:10〜15:10)
次世代パワー半導体は高温駆動が可能であるため、パワー半導体中の接合層は高い熱信頼性が必要となる。近年は、接合材として高耐熱の銀粒子を含む銀接合材が市場に展開され始めているが、200°Cを超えると微細構造変化や破断など未だ熱信頼性に懸念がある。一方、銅接合材は銀接合材を超える熱信頼性を発揮することが見えてきた。
本講座では、サブミクロ銅粒子および銅接合材の特性についてお話ししつつ、形成された銅接合層の熱信頼性を焦点に当て説明する。
(2025年7月22日 15:20〜16:20)
SiCパワーデバイスの接合材として、高耐熱の金属焼結型接合材が期待されている。一方で、接合温度の低温化のニーズは益々高くなっており、250°C以下の低温接合が求められている。
本講座では、酸素燃焼を用いて乾式で製造した銅ナノ粒子の特徴および、本銅ナノ粒子を用いた接合ペーストの250°C以下の低温接合性能について説明する。
(2025年7月22日 16:30〜17:30)
SiCは現在主流のSiと比較して、各種特性に優れ、更なる高温動作も可能となる。パワーモジュールを例に上げると、半導体素子との接合部はより耐熱性が求められ、冷却特性も向上させる必要がある。
本講演では、前半で従来のSi半導体に加え、WBG半導体をターゲットにしたパワーデバイス向けの高信頼性はんだ合金と接合材料に求められる実装性について紹介する。後半では、TLP材料のシート材を中心にペーストの開発状況についても紹介する。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
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