技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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5GやAI対応で益々の高速・大容量・低電力・軽量・小型可が求められる半導体にEUVLが活用され始めております。
第1部では、マスク吸収体材料、Stochastic Errorに対応レジスト、ペリクルなど、新しい材料開発が進むEUVリソグラフィー全体の要素技術・課題・展望について、当技術の先駆者である木下氏が解説いたします。
第2部以降ではレジスト材料技術にフォーカスし、Photon StochasticとChemical Stochastic低減のためのアプローチや、メタル含有レジストの反応機構や課題などをご紹介いたします。
(2022年12月7日 10:30〜12:00)
2017年EUV光源パワーが250Wを達成したことにより、2019年の7nmノードからの本格的な量産が開始された。現在5nmノードまで進展し、Critical layer数層から10数層へと加工領域が広がっており、Smart phone等のMobile機器で身近に微細化の恩恵に預かっている。TSMCの5nmノードからはDouble Patterningの導入、2025年にはNA0.55のHigh NA機が登場し、さらなる微細化が顕著となり、マスク吸収体材料、Stochastic Errorに対応したレジスト材料、ペリクルなど新しい材料開発が進められている。本講演では現状と今後の課題を簡潔にお話したい。
(2022年12月7日 13:00〜14:30)
電子デバイスのさらなる高速化・大容量化・省電力化に不可欠なEUVレジストは、長い年月を経て2019年に量産適用に至った。しかしながら、期待されるEUVレジストの性能には遠く課題山積である。EUVレジストの課題と開発動向に関し解説する。
(2022年12月7日 14:45〜16:15)
EUVリソグラフィにおいて、次世代サブ10 nmHP用 (オングストロームノード用) として期待されるメタル含有レジストの反応機構と課題について解説します。
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
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