技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解とMOSFETゲート絶縁膜界面制御技術

4H-SiCパワーMOSFETの最前線へ

パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解とMOSFETゲート絶縁膜界面制御技術

～SiC特有のMOSデバイス形成の課題とその克服のための指針、ゲート絶縁膜の性質と評価～
東京都 開催 会場 開催
関連するセミナー・出版物
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する 関連するセミナー・出版物を探す

開催日

  • 2018年11月14日(水) 13時00分 ～ 16時30分

修得知識

  • SiC特有のMOSデバイス形成の課題と克服のための指針
  • SiC上のゲート絶縁膜の性質と評価手法

プログラム

　4H-SiCパワーMOSFETは、高効率なパワーエレクトロニクスへの応用が始まりつつあるが、さらなる性能の向上や、信頼性の改善のためにまだ多くの未解決な技術課題を残している。良好なMOS特性に必要なのは、ゲート絶縁膜であるSiO2と半導体の界面において、電荷を捕獲する欠陥構造の密度を最小化することにほかならない。たったこれだけのことが、一体なぜSiCでは難しいのだろうか?
　本セミナーでは、SiCの熱酸化における表面反応過程の理解に基づきながら、その制御のための界面形成プロセスの設計指針を議論したい。酸化剤を酸素とした場合と水蒸気とした場合の反応の違いや、酸化反応に伴うSiO2/SiC界面近傍での局所的なSiO2やSiCの構造変化など、SiCの界面に特有な現象についても解説する。

  1. SiCパワー半導体の特徴
    1. パワーデバイスへの期待
    2. SiCを用いることの利点
    3. SiCパワーデバイスの現状
  2. SiCの熱酸化の理解
    1. MOSFETの動作とゲートスタックの重要性
    2. SiCと酸素の熱力学
    3. SiCの熱酸化機構と速度論
    4. SiC熱酸化によるゲート絶縁膜の形成と問題点
    5. SiC熱酸化界面近傍での歪み構造の発生
  3. SiC/ゲート絶縁膜界面欠陥の抑制のための指針
    1. MOS界面特性と界面欠陥評価の手法
    2. 理想的なSiCの熱酸化プロセスの設計指針
    3. 代表的な界面修復の手法とそのプロセス
    4. 酸素による酸化と水蒸気による酸化の決定的な違い
    5. 4H-SiCの結晶面による表面構造の違いと界面特性の違い
  4. SiC用ゲート絶縁膜の課題と将来展望
    1. SiC MOSFETの動作と課題
    2. 今後に必要となるSiC用ゲート絶縁膜技術とは?
    • 質疑応答・名刺交換
ページのトップヘ

講師

  • 喜多 浩之 氏
    東京大学 大学院 新領域創成科学研究科
    教授
ページのトップヘ

会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

5F 第1講習室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
ページのトップヘ

主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する
ページのトップヘ

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2026/1/19 負熱膨張材料の開発と熱膨張制御での応用 オンライン
2026/1/19 半導体洗浄技術の基礎知識および技術トレンド オンライン
2026/1/19 米中対立下の中国半導体産業の成長と日本企業への示唆 オンライン
2026/1/21 ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法 オンライン
2026/1/22 ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法 オンライン
2026/1/23 半導体・論理回路テストの基礎と応用 オンライン
2026/1/23 半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向 オンライン
2026/1/26 半導体・論理回路テストの基礎と応用 オンライン
2026/1/26 半導体パッケージ基板のチップレット・Co-Packaged Opticsに向けた高周波実装設計 オンライン
2026/1/27 チップレット・光電融合時代に求められる半導体パッケージ基板設計 オンライン
2026/1/27 ALE (アトミック レイヤー エッチング) 技術の基本原理と開発事例および最新動向 オンライン
2026/1/28 半導体封止材用エポキシ樹脂・硬化剤・硬化促進剤の種類と特徴および新技術 オンライン
2026/1/29 半導体封止材用エポキシ樹脂・硬化剤・硬化促進剤の種類と特徴および新技術 オンライン
2026/1/29 チップレット・光電融合時代に求められる半導体パッケージ基板設計 オンライン
2026/1/29 先端デバイス集積化に向けた三次元集積実装技術とシリコン貫通電極および接合技術の技術開発動向 オンライン
2026/1/29 GaNウェハ・パワーデバイスの基礎と今後の展望 オンライン
2026/1/30 半導体洗浄における洗浄機内の流れとメカニズム オンライン
2026/2/4 ガラスコアサブストレート・ガラスインターポーザのわかりやすい基礎と最新動向 オンライン
2026/2/4 パワーデバイスの高耐熱接合技術と焼結材料の開発 オンライン
2026/2/4 半導体パッケージ基板のチップレット・Co-Packaged Opticsに向けた高周波実装設計 オンライン
ページのトップヘ

関連する出版物

発行年月
2024/12/27 次世代高速・高周波伝送部材の開発動向
2024/11/29 パワーデバイスの最新開発動向と高温対策および利用技術
2024/11/13 世界のチップレット・先端パッケージ 最新業界レポート
2024/9/13 世界のAIデータセンターを支える材料・デバイス 最新業界レポート
2024/6/19 半導体・磁性体・電池の固/固界面制御と接合・積層技術
2024/4/30 次世代半導体用の難加工結晶材料のための超精密加工技術
2024/2/26 EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2024/2/26 EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書
2023/10/31 エポキシ樹脂の配合設計と高機能化
2023/9/29 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術
2023/4/28 次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発
2022/11/29 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・汚染制御技術
2022/10/31 半導体製造におけるウェット/ドライエッチング技術
2022/6/17 2022年版 電子部品市場・技術の実態と将来展望
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕 (CD-ROM版)
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕
2021/11/12 レジスト材料の基礎とプロセス最適化
2021/6/18 2021年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2020/7/17 2020年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2019/7/19 2019年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
ページのトップヘ