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パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解とMOSFETゲート絶縁膜界面制御技術

4H-SiCパワーMOSFETの最前線へ

パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解とMOSFETゲート絶縁膜界面制御技術

～SiC特有のMOSデバイス形成の課題とその克服のための指針、ゲート絶縁膜の性質と評価～
東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2018年11月14日(水) 13時00分 ～ 16時30分

修得知識

  • SiC特有のMOSデバイス形成の課題と克服のための指針
  • SiC上のゲート絶縁膜の性質と評価手法

プログラム

　4H-SiCパワーMOSFETは、高効率なパワーエレクトロニクスへの応用が始まりつつあるが、さらなる性能の向上や、信頼性の改善のためにまだ多くの未解決な技術課題を残している。良好なMOS特性に必要なのは、ゲート絶縁膜であるSiO2と半導体の界面において、電荷を捕獲する欠陥構造の密度を最小化することにほかならない。たったこれだけのことが、一体なぜSiCでは難しいのだろうか?
　本セミナーでは、SiCの熱酸化における表面反応過程の理解に基づきながら、その制御のための界面形成プロセスの設計指針を議論したい。酸化剤を酸素とした場合と水蒸気とした場合の反応の違いや、酸化反応に伴うSiO2/SiC界面近傍での局所的なSiO2やSiCの構造変化など、SiCの界面に特有な現象についても解説する。

  1. SiCパワー半導体の特徴
    1. パワーデバイスへの期待
    2. SiCを用いることの利点
    3. SiCパワーデバイスの現状
  2. SiCの熱酸化の理解
    1. MOSFETの動作とゲートスタックの重要性
    2. SiCと酸素の熱力学
    3. SiCの熱酸化機構と速度論
    4. SiC熱酸化によるゲート絶縁膜の形成と問題点
    5. SiC熱酸化界面近傍での歪み構造の発生
  3. SiC/ゲート絶縁膜界面欠陥の抑制のための指針
    1. MOS界面特性と界面欠陥評価の手法
    2. 理想的なSiCの熱酸化プロセスの設計指針
    3. 代表的な界面修復の手法とそのプロセス
    4. 酸素による酸化と水蒸気による酸化の決定的な違い
    5. 4H-SiCの結晶面による表面構造の違いと界面特性の違い
  4. SiC用ゲート絶縁膜の課題と将来展望
    1. SiC MOSFETの動作と課題
    2. 今後に必要となるSiC用ゲート絶縁膜技術とは?
    • 質疑応答・名刺交換
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講師

  • 喜多 浩之 氏
    東京大学 大学院 新領域創成科学研究科
    教授
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会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

5F 第1講習室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
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