第1部 パワーデバイスの最新技術と封止材への課題

(2017年10月25日 10:30～12:00)

1. パワーエレクトロニクスとは
2. 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
3. 最先端シリコンパワーデバイスの現状
4. SiCパワーデバイスの現状と課題
   1. なぜSiCが注目されているのか
   2. SiC-MOSFETの作成プロセス解説
   3. Si-MOSFETプロセスと何が違うのか。
   4. SiC-MOSFET特有の設計ポイントは何か
   5. 高温対応実装技術
5. まとめ
• 質疑応答

第2部 パワーデバイス用エポキシ樹脂の開発

(2017年10月25日 13:00〜14:30)

　近年、パワー半導体の高機能化に伴い、そのICの保証温度は125℃から150℃、最近では駆動温度の最大値を175℃と設定しているパッケージが出てきている。また、SiCやGaNなどのワイドギャップデバイスでは200℃以上での適用も検討されており、このような駆動環境に耐え得る樹脂材料が求められる。 このような要求に対し、その樹脂に求められる特性としては、耐熱性、高温保管安定性 (耐熱分解特性) 、耐電圧特性、放熱性が重要となる。
　本講演ではエポキシ樹脂の高耐熱化技術を紹介するとともに、次世代デバイスに向けた更なる高耐熱性を持つ熱硬化性樹脂材料を紹介する。
　パワーデバイスの高温駆動に伴い、そのパッケージの樹脂材料にも高耐熱化が求められている。高耐熱性エポキシ樹脂の構造設計においては高耐熱化とトレードオフの特性がいくつかあり、高耐熱性とそのトレードオフの特性をいかに両立するかが高耐熱性エポキシ樹脂の構造設計においてはポイントとなる。

1. 電子材料、及びパワーデバイス向け材料における耐熱性のニーズ
2. 高耐熱性エポキシ樹脂の構造設計
   1. エポキシ樹脂の構造と特性
   2. 高耐熱性エポキシ樹脂の構造設計
3. さらなる高耐熱性に向けた取り組み
• 質疑応答

第3部 パワーデバイス関連材料の技術・開発動向

(2017年10月25日 14:40〜16:10)

　透明樹脂製品の分子配向分布や内部応力分布を知ろうとした場合に、複屈折測定は大変有効である。しかし、これまでは複屈折評価は限定的にしか活用されてきていなかった。
　本セミナーでは、最新の複屈折評価技術や測定原理を紹介するとともに、具体的な測定事例・活用事例を紹介することにより、複屈折測定データの活用法の習得を目指す。
　難解とされることの多い複屈折やその活用法の知識を、数式を用いずに直観的に理解できる考え方を紹介する。 また、複屈折測定市場の最新トレンドについても紹介する。

1. 前述
   • パワーデバイス/モジュールの高機能化のために構成部材に期待される役割及び当社材による提案概要
2. 封止材
   • シリコーンゲルとエポキシ封止材の相違概要及びエポキシ封止材適用時の留意点、当社技術の紹介
3. コート材
   • エポキシ封止材の留意点である剥離対策及び絶縁性向上効果の紹介
4. 絶縁放熱材
   • モジュール内絶縁層樹脂化/厚銅回路化の提案
5. TIM材
   • 縦配向カーボンシート適用による放熱性/信頼性向上の提案
• 質疑応答