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本セミナーでは、ウェットエッチング加工の結晶異方性、表面粗さや具体的な形状作製、高機能化について詳解いたします。

本セミナーでは、エッチング技術の基礎・メカニズムから解説し、等方性エッチング技術のニーズとメカニズム、現在IntelやTSMC, Samsung, SK Hynixなど最新半導体デバイスを製造しているメーカが検討している先端エッチング技術までを解説いたします。

本セミナーでは、半導体デバイス製造に携わる技術者の方を対象に、各基本プロセスの主要技術や最適化事例について概説いたします。

本セミナーでは、薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマの生成機構や特徴について解説いたします。
また、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法など解説いたします。

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

本セミナーでは、半導体産業全体を俯瞰し、半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務、半導体プロセスの特徴・開発・製造方法、最先端半導体デバイスについて詳解いたします。

本セミナーでは、半導体産業全体を俯瞰し、半導体デバイス、プロセス、実装工程の実務、半導体プロセスの特徴・開発・製造方法、最先端半導体デバイスについて詳解いたします。

本セミナーでは、半導体表面におけるウェットプロセス、及び、関連する表面計測法について、基礎から先端研究事例までを解説・紹介いたします。

本セミナーでは、プラズマの性質やプラズマ中で起こっている基本的な現象 (電離、解離、拡散、消滅) を解説するとともに、半導体微細加工において重要なパラメータとなる壁へのイオンや化学活性種のフラックス量がどのような過程で決定づけられているかを説明いたします。

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説いたします。

本セミナーでは、ドライエッチングの基礎から解説し、エッチングにおける劣化トラブルと抑制技術、プロセス制御によるCD安定化について解説いたします。

本セミナーでは、ウェットエッチング加工特性に影響する要因とその制御方法やグリーン化への取り組みを詳解いたします。

本セミナーでは、ドライエッチングについて基礎から解説し、最先端ドライエッチング技術として、マルチパターニング、FinFETやGAAなどのロジックFEOLエッチング、1.4nm以降のロジック配線エッチング、さらには超低温 (クライオ) エッチングを含む、3D NANDのHARエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説いたします。