第1部 データセンターの電源構成の変遷とパワー半導体デバイスへの期待

(2026年10月28日 10:30〜12:00)

　データセンターにおける電源構成の変遷について紹介し、最新のAIデータセンターで求められる回路構成とパワー半導体デバイスの関係について紹介する。あわせて、より効率的な回路構成のための最新技術動向とパワー半導体デバイスへの期待について述べる。

1. 背景
2. データセンターの配電構成の変遷
   1. 交流配電と48バス配電構成
   2. 直流配電と48Vバス配電構成
   3. 直流配電と800Vバス配電構成
3. 電源装置の技術革新と半導体デバイス
   1. 交流配電における UPS
   2. 48Vバスおける PSU
   3. 直流配電における SST
   4. 800Vバスにおける HV_IBC(High Voltage IBC)
4. 今後の動向と期待
   1. 高耐圧・大容量化
   2. 双方向断機
5. まとめ
• 質疑応答

第2部 銅および銀ペーストを用いたSiCパワー半導体の接合と信頼性向上

(2026年10月28日 13:00〜14:30)

　SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ (WBG) 半導体材料を利用し、省エネ高効率化と小型軽量化の双方を兼ね備えるパワーデバイスの実現には、実装の長期信頼性構築が不可欠である。そのため、WBGパワーデバイスが曝される200〜300°Cの高温度領域でも動作保証する放熱材料、構造、冷却技術の革新的な技術の開発と信頼性評価が必要となる。
　本講演では高耐熱と高熱伝導率のAgまたCu焼結ペーストを紹介し、異種材との接合の特徴、AgまたCu焼結実装材料の開発と接合構造の構造信頼性結果をまとめて解説する。これらの内容は、次世代パワー半導体実装信頼性と新実装材料開発方法の視点から役に立てられると考える。

1. WBGパワー半導体高温向けに求められる実装技術
2. 銀ペーストによる接合技術
3. 銅ペーストによる接合技術
4. 構造信頼性評価
5. 低応力高信頼性WBG実装構造の設計
6. SiC高放熱構造の開発
• 質疑応答

第3部 SiCパワー半導体の金属不純物分析

(2026年10月28日 14:45〜16:15)

　SiCあるいはGaNがパワー半導体用として用途が広がってきている。半導体中に導電性のある金属が含まれていると絶縁不良等の原因となるため金属分析が必要である。
　本セミナーでは、ICP-MSを用いてSiC中の微量金属汚染分析について説明する。

1. SiC中の金属汚染について
   1. 金属汚染要因
   2. 金属汚染の形態
2. 金属汚染分析法について
   1. 全反射蛍光X線法 (TXRF)
   2. 二次イオン質量分析法 (SIMS)
   3. グロー放電質量分析法 (GD-MS)
   4. 誘導結合プラズマ質量分析法 (ICP-MS)
      1. 気相分解法を用いたSiC表面の金属汚染
      2. レーザーアブレーションを用いたSiC表面およびバルクSiC中の金属汚染
3. まとめ
• 質疑応答