技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年9月30日〜10月14日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年10月10日まで承ります。
本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H – SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H – SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属 – 酸化膜 – 半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
|---|---|---|---|
| 2025/10/21 | 先端パッケージングの全体像 (開発動向&ビジネス化戦略) およびRDLインターポーザ最新技術動向 | 会場・オンライン | |
| 2025/10/22 | ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法 | オンライン | |
| 2025/10/22 | 半導体産業動向 2025 | オンライン | |
| 2025/10/23 | 半導体・論理回路テストの基礎と応用 | オンライン | |
| 2025/10/23 | 半導体技術の全体像 | オンライン | |
| 2025/10/23 | ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法 | オンライン | |
| 2025/10/23 | 電気自動車用パワーエレクトロニクスの基礎と技術動向 | オンライン | |
| 2025/10/24 | CMP後洗浄技術の開発動向と洗浄後評価技術 | オンライン | |
| 2025/10/24 | 半導体・論理回路テストの基礎と応用 | オンライン | |
| 2025/10/24 | 半導体技術の全体像 | オンライン | |
| 2025/10/24 | 酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向 | オンライン | |
| 2025/10/27 | 半導体デバイスにおける洗浄技術の最新動向と今後の展望 | オンライン | |
| 2025/10/27 | 半導体製造のCMP技術・CMP後洗浄の基礎と最新技術および今後の課題・展望 | オンライン | |
| 2025/10/28 | 半導体デバイスにおける洗浄技術の最新動向と今後の展望 | オンライン | |
| 2025/10/28 | パワーエレクトロニクスの基礎とインバータ・コンバータおよび次世代パワーデバイスの応用 | オンライン | |
| 2025/10/28 | クライオエッチングの基礎・現状・課題と低温下における表面反応 | オンライン | |
| 2025/10/29 | SiCパワーMOSFETの高性能化技術 | オンライン | |
| 2025/10/30 | 半導体洗浄技術 2セミナーセット | オンライン | |
| 2025/10/30 | 半導体洗浄の基礎と要点、困ったときの対策 | オンライン | |
| 2025/10/30 | 三次元積層チップのテスト技術とテスト容易化設計 | オンライン |