技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2025年9月30日〜10月14日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2025年10月10日まで承ります。
本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H – SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H – SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属 – 酸化膜 – 半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
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複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
|---|---|---|---|
| 2025/12/12 | オフライン電源の設計 (3日間) | オンライン | |
| 2025/12/12 | プラズマエッチングにおけるプロセス不良発生の検出とプラズマ耐性材料の評価技術 | オンライン | |
| 2025/12/12 | オフライン電源の設計 (1) | オンライン | |
| 2025/12/15 | セラミックス合成・成形時に用いられるバインダー (結合剤) および添加剤・薬剤の種類と使い方 | オンライン | |
| 2025/12/15 | Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの技術開発動向と日本の現状 | オンライン | |
| 2025/12/15 | 半導体パッケージ技術の進化とそれを支える要素技術 | オンライン | |
| 2025/12/18 | 設計者CAE 構造解析編 (強度) | オンライン | |
| 2025/12/19 | 半導体製造装置・材料の技術トレンド、ニーズと求められる戦略 | オンライン | |
| 2025/12/19 | オフライン電源の設計 (2) | オンライン | |
| 2025/12/23 | PFAS (有機フッ素化合物) 規制の動向と半導体産業への影響 | オンライン | |
| 2025/12/25 | オフライン電源の設計 (3) | オンライン | |
| 2026/1/6 | 半導体製造装置・材料の技術トレンド、ニーズと求められる戦略 | オンライン | |
| 2026/1/16 | 電子回路の公差設計入門 | オンライン | |
| 2026/1/19 | 半導体洗浄技術の基礎知識および技術トレンド | オンライン | |
| 2026/1/21 | ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法 | オンライン | |
| 2026/1/22 | ダイヤモンド半導体の最前線と高性能パワーデバイスの開発・評価法 | オンライン | |
| 2026/1/23 | 半導体・論理回路テストの基礎と応用 | オンライン | |
| 2026/1/23 | 半導体プロセスにおける検査・解析技術の基礎と最新技術動向 | オンライン | |
| 2026/1/26 | 半導体・論理回路テストの基礎と応用 | オンライン | |
| 2026/1/27 | ALE (アトミック レイヤー エッチング) 技術の基本原理と開発事例および最新動向 | オンライン |