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半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術

半導体用レジストの基礎と材料設計および環境配慮型の新規レジスト除去技術

～レジストの特性や光化学反応、評価手法、EUVレジストや化学増幅型レジストなどを丁寧に解説～
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このセミナーは2025年2月に開催したセミナーのオンラインセミナー:オンデマンド配信です。
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お申込は、2025年9月29日まで受け付けいたします。
(収録日:2025年2月20日 ※映像時間:約4時間20分)

概要

本セミナーでは、半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説いたします。

申込期間

  • 2025年7月1日(火) 10時30分 ～ 2025年9月29日(月) 16時30分

受講対象者

  • レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
  • 半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
  • レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方

修得知識

  • レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
  • レジストを使用する際の留意事項
  • リソグラフィープロセスについて
  • 素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
  • レジスト材料
    • ノボラック系ポジ型レジスト
    • 化学増幅型レジスト
  • レジスト評価法について
  • レジスト除去 (剥離) 技術について

プログラム

　半導体用レジスト技術の基礎から解説し、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセス、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説します。
　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
　本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂) ・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。レジスト剥離 (除去) 技術 については、環境に優しい新規な技術として、活性種として水素ラジカル、湿潤オゾン、マイクロバブル水を用いた技術について解説する。
　また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。

  1. 感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
    1. 感光性レジストとは?
    2. リソグラフィーについて
    3. フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要
  2. レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
    1. 半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
    2. レジストの基本原理
    3. レジストの現像特性
  3. ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
    1. レジスト現像アナライザ (RDA) を用いた現像特性評価
    2. ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
    3. ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
    4. PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
    5. ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係
  4. 化学増幅ポジ型レジストの材料設計
    1. 化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
      • ベース樹脂
      • 溶解抑制剤
      • 酸発生剤
    2. 化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
    3. 化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
    4. EUVレジストへの展開
    5. i線厚膜レジストへの展開
  5. 環境に優しい新規なレジスト除去技術について
    1. 活性種として水素ラジカルを用いた場合
    2. 活性種として湿潤オゾンを用いた場合
    3. 活性種としてオゾンバブル水を用いた場合
    4. イオン注入工程を経たレジストの化学構造とレジスト除去技術
    • 質疑応答
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講師

  • 堀邊 英夫 氏
    大阪公立大学 大学院 工学研究科 物質化学生命系専攻 化学バイオ分野
    教授, 学長特別補佐
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,200円 (税別) / 42,020円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

オンデマンドセミナーの留意点

  • 申込み後、セミナーのキャンセルは承りかねます。 予めご了承ください。
  • 録画セミナーの動画をお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • お申し込み前に、 視聴環境 をご確認いただき、 視聴テスト にて動作確認をお願いいたします。
  • お申し込み日から3営業日後までに、視聴方法のご案内メールをお送りいたします。
  • 視聴期間は、視聴方法のご案内メールの送信日より10営業日の間です。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
  • セミナー資料は、印刷・送付いたしますので、視聴開始後に届きます。
  • セミナー資料は、視聴方法のご案内メールの送信日から3営業日以内に発送いたします。
  • 動画視聴・インターネット環境をご確認ください
    • セキュリティの設定や、動作環境によってはご視聴いただけない場合がございます。
    • サンプル動画が閲覧できるかを事前にご確認いただいたうえで、お申し込みください。
  • 本セミナーの録音・撮影、複製は固くお断りいたします。
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