技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、大きな可能性を秘めた新しいパワー半導体材料として注目されている二酸化ゲルマニウムを取り上げ、二酸化ゲルマニウムの基礎的な物性や世界の研究状況について解説いたします。
昨今、パワー半導体業界には新材料による新たな市場形成が始まっています。例えばSiCはこの10年間の大幅な低価格化により徐々に市場に浸透し始めており、高周波デバイス用途ではGaNが絶対的な地位を築こうとしています。そして近い将来、SiCやGaNより大きなバンドギャップをもつより高性能なデバイスが必要になります。しかし、新材料が市場で受け入れられるには厳しい条件をクリアしなければいけません。それは1基板、薄膜、加工のコストが低い、2SiCやGaNよりも優れた低損失性、3p型とn型のドーピング手法による作製の実現性、の3つが基本条件です。
本セミナーではその条件をクリアし、候補材料となり得る新しいパワー半導体材料であるルチル構造二酸化ゲルマニウム (r-GeO2) の物性や作製手法についてお話をします。
S&T出版からの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、4名様以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、3名様受講料 + 3名様を超える人数 × 15,400円(税込)でご受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2025/4/15 | 半導体デバイス製造工程の基礎 | オンライン |
発行年月 | |
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2018/3/20 | レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決 |
2018/1/10 | SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント |
2016/9/30 | 電磁波吸収・シールド材料の設計、評価技術と最新ノイズ対策 |
2014/10/31 | 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 |
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2014/8/15 | ワイヤレス給電・充電技術(装置) 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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2013/12/15 | パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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2013/10/31 | ディジタルコンバータの回路と制御設計の基礎 |
2013/2/10 | 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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2012/10/30 | SiCパワーデバイスの開発と最新動向 |
2012/10/12 | 2013年版 コンデンサ市場・部材の実態と将来展望 |
2012/6/15 | 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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2012/4/25 | GaNパワーデバイスの技術展開 |
2012/4/15 | Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書 |