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SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向

SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向

～SiCパワー半導体開発の最前線 / SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開 / SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題～
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視聴期間は2024年6月10日〜21日を予定しております。
お申し込みは2024年6月10日まで承ります。

概要

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

開催日

  • 2024年6月10日(月) 10時30分 ～ 2024年6月21日(金) 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況
  • SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況

プログラム

　現状、150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造・量産が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
　本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

  1. SiCパワー半導体開発の現状
    1. SiCパワー半導体開発の背景
      1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
      2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
    2. SiCパワー半導体開発の歴史
      1. SiCパワー半導体開発の黎明期
      2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
    3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
      1. SiCパワー半導体の市場
      2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
      3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース
    4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
      1. SiC単結晶とは?
      2. SiC単結晶の物性と特長
      3. SiC単結晶の各種デバイス応用
    5. SiCパワーデバイスの最近の進展
      1. SiCパワーデバイスの特長
      2. SiCパワーデバイス (SBD、MOSFET) の現状
      3. SiCパワーデバイスのシステム応用
  2. SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望
    1. SiC単結晶のバルク結晶成長
      1. SiC単結晶成長の熱力学
      2. 昇華再結晶法
      3. 溶液成長法
      4. 高温CVD法 (ガス法)
      5. その他成長法
    2. SiC単結晶ウェハの加工技術
      1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
      2. SiC単結晶の切断技術
      3. SiC単結晶ウェハの研磨技術
    3. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
      1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
      2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
  3. SiC単結晶ウェハ製造の技術課題
    1. SiC単結晶のポリタイプ制御
      1. SiC単結晶のポリタイプ現象
      2. 各種ポリタイプの特性
      3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
    2. SiC単結晶中の拡張欠陥
      1. 各種拡張欠陥の分類
      2. 拡張欠陥の評価法
    3. SiC単結晶のウェハ加工
      1. ウェハ加工の技術課題
      2. ウェハ加工技術の現状
    4. SiCエピタキシャル薄膜成長
      1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題
      2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状
    5. SiC単結晶ウェハの電気特性制御
      1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
      2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
    6. SiC単結晶ウェハの高品質化
      1. マイクロパイプ欠陥の低減
      2. 貫通転位の低減
      3. 基底面転位の低減
    7. まとめ
    • 質疑応答
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講師

  • 大谷 昇 氏
    関西学院大学 工学部 教授
    教授
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 36,200円 (税別) / 39,820円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

アーカイブ配信セミナー

  • 「ビデオグ」を使ったアーカイブ配信セミナーとなります。
  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCなどからご視聴ができます。
  • お申し込み前に、 視聴環境 をご確認いただき、 視聴テスト にて動作確認をお願いいたします。
  • 別途、ID,パスワードをメールにてご連絡申し上げます。
  • 視聴期間は2024年6月10日〜21日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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