技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

自動車の電動化に向けた、シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

自動車の電動化に向けた、シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

～パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向 / Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題 / パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測 / シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術～
オンライン 開催
関連するセミナー・出版物
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する 関連するセミナー・出版物を探す
  • 受講特典: アーカイブ配信付き (視聴期間: 2024年3月22日〜3月28日を予定)

概要

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

開催日

  • 2024年3月21日(木) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向
  • Si-IGBTの強み
  • SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測
  • シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
  • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術

プログラム

　2024年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
　そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクスとはなに
    1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 最近のトピックスから
    5. パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
    6. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
    7. パワーデバイス開発のポイント
  2. 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
    1. パワーデバイス市場の現在と将来
    2. MOSFET特性改善を支える技術
    3. IGBT特性改善を支える技術
    4. IGBT薄ウェハ化の限界
    5. IGBT特性改善の次の一手
    6. 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
    7. シリコンIGBTの実装技術
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
    4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC – MOSFETを開発する。なぜか?
    5. SiC-MOSFETのSi – IGBTに対する勝ち筋
    6. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
    7. SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
    8. 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
    9. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
    10. 内蔵ダイオード信頼性向上技術
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイスの構造
    3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
    4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
    5. ノーマリーオフ・ノーマリーオン特性とはなに?
    6. GaN-HEMTのノーマリ – オフ化
    7. GaN-HEMTの課題
    8. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
    1. 酸化ガリウムの特徴は何
    2. 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
  6. SiCパワーデバイス実装技術の進展
    1. SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
    2. 銀または銅焼結接合技術
    3. SiC-MOSFETモジュール技術
  7. まとめ
    • 質疑応答
ページのトップヘ

講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
ページのトップヘ

主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 36,200円 (税別) / 39,820円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する
ページのトップヘ

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2025/9/22 オフライン電源の設計 (3日間) オンライン
2025/9/22 オフライン電源の設計 (3) オンライン
2025/9/24 最新CMP技術 徹底解説 オンライン
2025/9/24 次世代自動車に求められる電動化・自動運転技術のメカニズムと構成要素、今後の展望 オンライン
2025/9/25 最新CMP技術 徹底解説 オンライン
2025/9/26 先進半導体パッケージの技術動向と三次元集積化プロセス開発の道程 オンライン
2025/9/26 中国自動車業界の最新動向 : 表と裏 東京都 会場・オンライン
2025/9/29 SiCパワー半導体・ウェハ開発の現状と高品質化・低コスト化への課題 オンライン
2025/9/29 次世代パワーデバイス開発の最前線 オンライン
2025/9/29 電子回路の公差設計入門 オンライン
2025/9/29 半導体デバイスの物理的ウェット洗浄の基礎と最新情報の展開 オンライン
2025/9/29 次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向 オンライン
2025/9/30 SiCパワー半導体・ウェハ開発の現状と高品質化・低コスト化への課題 オンライン
2025/10/3 EV車載充電器/電源方式の利点・欠点と技術・研究動向 オンライン
2025/10/6 GaNウェハ・パワーデバイスの技術動向と用途展開 オンライン
2025/10/7 トヨタ自動車、モビリティカンパニーへの変革とは オンライン
2025/10/7 自動車における車内・車外騒音発生メカニズムと吸遮音材/防音材の基本と適用事例 愛知県 会場
2025/10/7 PFAS規制の動向と半導体業界への影響、対応状況、今後の方向性 オンライン
2025/10/8 開閉接点・摺動接点・接続接点の接触理論と故障モード・メカニズムならびにその対策 東京都 会場・オンライン
2025/10/9 自動車内温熱快適性評価のための伝熱解析 オンライン
ページのトップヘ

関連する出版物

発行年月
2012/7/26 EV・HVに向けた車載用インバータ
2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書
2012/4/25 GaNパワーデバイスの技術展開
2012/4/15 Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書
2011/11/15 半導体露光装置 技術開発実態分析調査報告書
2011/7/5 カーナビゲーション (2011年版) 技術開発実態分析調査報告書
2011/6/15 トヨタ、ホンダ、日産3社 技術開発実態分析調査報告書
2010/6/5 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書
2010/5/14 SiCパワーデバイス最新技術
2009/8/5 電気自動車とエコカー 技術開発実態分析調査報告書
2009/8/5 電気自動車とエコカー 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版)
2009/5/30 外国自動車メーカー12社分析 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版)
2009/5/30 外国自動車メーカー12社分析 技術開発実態分析調査報告書
2009/2/5 国内自動車メーカー12社分析 技術開発実態分析調査報告書
2009/2/5 国内自動車メーカー12社分析 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版)
2009/1/5 日産自動車分析 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版)
2009/1/5 日産自動車分析 技術開発実態分析調査報告書
2008/9/1 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版)
2008/9/1 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書
ページのトップヘ