クリーン化と一言で言っているが、実際には、直径0.1nmの汚染原子と微粒子と呼ばれる直径0.1μmレベル (10の9乗個の原子集団) は峻別して捉え、それぞれデバイス性能とどのような関係があるのかを明快に理解し、それに対する適切な対策をとらなければならない。
　本講演では、汚染物質と微粒子がデバイス性能に与える影響を明らかにし、そのために必要なテクノロジーを解説する。
　本講演内容を把握することで、クリーン化技術全体が理解でき、現場対策だけでなく、プロセス技術者や広く半導体に関連する業務の基礎素養として、役立つ内容となっている。

1. はじめに 〜半導体におけるクリーン度の物理〜
   • どうして半導体だけがクリーン化を強く推進しているのか、その根本の解説
2. デバイス性能に影響を及ぼす汚染とその実態
   1. 原子レベル汚染物質の解説
      • イールド劣化要因・ファブ内ウェハへのダメージ
        • ボロン
        • リン
        • 重金属
        • ナトリウム
        • 塩素
        • アンモニア
        • 炭素
        • 金
        • 水
        • 酸素
   2. 微粒子の解説
      1. 大気中浮遊微粒子
      2. 装置内発生コンタミ
3. クリーン化技術
   1. クリーンルーム技術
      • 発塵源としての人
      • 発塵を抑えるクリーンスーツ
      • 発塵を抑えるクリーンルーム技術
      • 発塵を抑える人動作
   2. 高純度化技術 (ピュアにする+汚染を除去する)
      • 集積回路工程 (洗浄プロセスが3割に達する)
      • 信頼性技術 (製造工程での歩留まりと不良の中身)
      • スーパークリーンテクノロジー
   3. ウェーハ洗浄技術
      1. ウェハ洗浄技術
      2. ウォーターマークと乾燥技術
      3. 溶存酸素抑制技術
   4. 局所クリーン化技術
      1. 基本概念
      2. 垂れ壁方式
      3. 実用半導体工場:200mmファブ、300mmファブでの局所クリーン化
   5. ミニマルファブ技術
      1. ミニマルファブの基本となったガス遮断型プロセスシステム
      2. アナログ歩留まり
      3. ミニマルファブの概念と概要 (含むクリーン化方式とその性能)
      4. 標準化と権利確保戦略
      5. FACT data
      6. NEXT stage
• 参考文献