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ALD/ALEの基礎から最先端LSI応用まで

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概要

本セミナーでは、ALD (原子層堆積) 技術、ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用について、堆積の原理や材料を中心に解説いたします。
また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介いたします。

開催日

  • 2024年2月8日(木) 10時00分 ～ 16時00分

受講対象者

  • 半導体プロセス・デバイスの技術者、開発者、研究者

修得知識

  • 半導体プロセス技術全般 (特にALD技術)
  • 半導体デバイス技術 (特にMOSデバイス)
  • 半導体材料の評価技術 (電気的/化学的/物理的)

プログラム

　AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。
　本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD (原子層堆積) /ALE (原子層エッチング) 技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

  1. 薄膜形成技術
    1. 薄膜作成/加工の基礎
    2. 薄膜の評価方法
      1. 電気的評価
      2. 化学的分析手法
      3. 光学的評価手法
  2. ALD技術の基礎
    1. ALD技術の原理
    2. ALD薄膜の特長
    3. ALD技術の歴史
    4. ALD装置の仕組み
    5. ALD技術の材料
  3. ALE技術の基礎
    1. ALE技術の原理
    2. ALEの歴史
    3. ALEの特長
    4. ALE技術の課題
  4. ALD技術の応用
    1. パワーデバイスへの応用
    2. 酸化物薄膜トランジスタへの応用
    3. MOS LSIへの応用
    4. 太陽電池への応用
  5. ALE技術の応用事例
    1. シリコン、窒化ガリウム等、半導体材料への応用
    2. シリコン酸化膜、窒化膜等、絶縁膜への応用
    3. Co等、金属膜への応用
  6. ALD/ALE技術の将来
    1. ALD/ALE技術の課題
    2. ALD/ALE技術の展望
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講師

  • 浦岡 行治 氏
    奈良先端科学技術大学院大学 マテリアル研究プラットフォームセンター
    センター長
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主催

株式会社 トリケップス
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 49,000円 (税別) / 53,900円 (税込)
1口
: 60,000円 (税別) / 66,000円 (税込) (3名まで受講可)
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