技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

Si-IGBT/SiC/GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

Si-IGBT/SiC/GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

～パワー半導体デバイス・パッケージ・実装技術など最新動向から市場予測まで～
オンライン 開催
関連するセミナー・出版物
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する 関連するセミナー・出版物を探す

開催日

  • 2024年2月2日(金) 10時00分 ～ 16時00分

修得知識

  • パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向
  • Si-IGBTの強み
  • SiC/GaNパワーデバイスの勝ち筋、特長と課題
  • パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測
  • Si-IGBT、SiCデバイス実装技術
  • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術

プログラム

　コロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け回復の見通しは依然不透明といった状況にある。しかしこのような中においても、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。2022年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
　本セミナーでは、最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクス (パワエレ) 、パワーデバイスとは何?
    1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか?
  2. 最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
    1. 中国製格安EVにはシリコンMOSFETが搭載されていた
    2. 最新シリコンMOSFET・IGBTを支える技術
    3. シリコンデバイス特性改善の次の一手
    4. 逆導通IGBT (RC-IGBT) の誕生
    5. シリコンIGBTの実装技術
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜSiCが新材料パワーデバイスのなかでトップを走っているのか
    2. 各社はSiC-MOSFETを開発中。最大の課題はコスト高にある
    3. SiCウェハができるまで
    4. SiC-MOSFETの低オン抵抗化がコストダウンにつながる理由
    5. SiC-MOSFET内蔵ダイオードの順方向電圧劣化とその解決策
    6. ショットキーバリアダイオード (SBD) 内蔵SiC-MOSFET
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
    3. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
    4. GaN-HEMTの課題
    5. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. SiCパワーデバイス高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
    3. SiCモジュールに必要な実装技術
  6. まとめ
ページのトップヘ

主催

株式会社 R&D支援センター
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 42,000円(税別) / 46,200円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する
ページのトップヘ

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2026/9/30 半導体ウェット洗浄の基礎・実践と最新洗浄技術 オンライン
2026/10/2 2nm以降半導体向け配線技術の最新動向と材料、プロセスへの要求特性 オンライン
2026/10/8 三次元集積化プロセスの基礎と先進半導体パッケージの最新動向 オンライン
2026/10/8 パワー半導体実装部の熱疲労信頼性設計へ向けた機械負荷試験評価法 オンライン
2026/10/9 半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2026年秋版) オンライン
2026/10/9 光電融合・Co-Packaged Optics (CPO) 技術の基礎と最新研究動向および技術課題 オンライン
2026/10/13 光電融合・Co-Packaged Optics (CPO) 技術の基礎と最新研究動向および技術課題 オンライン
2026/10/15 光半導体のパッケージング技術、基本情報と課題 オンライン
2026/10/15 光電融合技術の最新動向と実装プロセス、樹脂材料への要求特性 オンライン
2026/10/16 光半導体のパッケージング技術、基本情報と課題 オンライン
2026/10/16 半導体デバイスを基礎から理解する : 現場や実務で役立つデバイス物性入門 オンライン
2026/10/16 酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向 オンライン
2026/10/19 半導体デバイスを基礎から理解する : 現場や実務で役立つデバイス物性入門 オンライン
2026/10/19 プラズマ表面反応制御によるダイヤモンド・ワイドギャップ半導体材料の原子精度加工 オンライン
2026/10/20 パワー半導体実装部の熱疲労信頼性設計へ向けた機械負荷試験評価法 オンライン
2026/10/21 シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向 オンライン
2026/10/21 プラズマ表面反応制御によるダイヤモンド・ワイドギャップ半導体材料の原子精度加工 オンライン
2026/10/21 パワーデバイスSiC結晶欠陥の基礎知識とその観察・評価技術 オンライン
2026/10/21 半導体ウェット洗浄の基礎・実践と最新洗浄技術 オンライン
2026/10/22 ガラスコア基板・TGVに向けた超短パルスレーザー微細貫通穴加工技術 オンライン
ページのトップヘ

関連する出版物

発行年月
2016/9/30 電磁波吸収・シールド材料の設計、評価技術と最新ノイズ対策
2015/6/30 導電性フィラー、導電助剤の分散性向上、評価、応用
2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書
2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2014/8/15 ワイヤレス給電・充電技術(装置) 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2014/8/15 ワイヤレス給電・充電技術(装置) 技術開発実態分析調査報告書
2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書
2013/12/10 太陽光発電向けパワーコンディショナ 技術開発実態分析調査報告書
2013/12/10 太陽光発電向けパワーコンディショナ 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/10/31 ディジタルコンバータの回路と制御設計の基礎
2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書
2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2012/10/30 SiCパワーデバイスの開発と最新動向
2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書
2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2012/4/25 GaNパワーデバイスの技術展開
2012/4/15 Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書
2011/11/15 半導体露光装置 技術開発実態分析調査報告書
2010/8/1 '11 EMC・ノイズ対策業界の将来展望
ページのトップヘ