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ALD (原子層堆積) 技術の基礎と応用

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ALD (原子層堆積) 技術の基礎と応用

オンライン 開催

開催日

  • 2020年10月20日(火) 13時30分16時30分

修得知識

  • 半導体プロセス技術全般
    • 特にALD技術
  • 半導体デバイス技術
    • 特にMOSデバイス
  • 半導体材料の評価技術
    • 電気的評価
    • 化学的評価
    • 物理的評価

プログラム

 AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD (原子層堆積) 技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、薄膜トランジスタやパワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

  1. 薄膜形成技術
    1. 薄膜作製の基礎
    2. 薄膜の評価手法
      1. 電気的評価
      2. 化学的分析手法
      3. 光学的評価手法
  2. ALD技術の基礎
    1. ALD技術の原理
    2. ALD薄膜の特長
    3. ALD技術の歴史
    4. ALD装置仕組み
    5. ALD技術の材料
  3. ALD技術の応用
    1. 半導体分野への活用状況
    2. パワーデバイスへの応用
    3. 酸化物薄膜トランジスへの応用
    4. MOS LSIへの応用
  4. ALD技術の将来
    1. ALD技術の課題
    2. ALD技術の展望

講師

  • 浦岡 行治
    奈良先端科学技術大学院大学 マテリアル研究プラットフォームセンター
    センター長

主催

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お問い合わせ

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受講料

1名様
: 42,000円 (税別) / 46,200円 (税込)
複数名
: 18,500円 (税別) / 20,350円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

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  • Eメール案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 37,000円(税別) / 40,700円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 37,000円(税別) / 40,700円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 55,500円(税別) / 61,050円(税込)
  • Eメール案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,000円(税別) / 46,200円(税込)
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 126,000円(税別) / 138,600円(税込)

アカデミック割引

  • 1名様あたり 24,000円(税別) / 26,400円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

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