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次世代パワーモジュールの開発動向と高温実装の材料・接合技術

次世代パワーモジュールの開発動向と高温実装の材料・接合技術

東京都 開催

開催日

  • 2019年5月29日(水) 10時30分 16時00分

修得知識

  • パワーデバイスの最新技術動向 (Si-IGBT, SiCデバイスを中心に)
  • 新構造IGBT (RC-IGBT) の特長
  • SiC-MOSFET最新技術
  • SiC-MOSFET実装技術
  • Si-IGBTならびにSiC-MOSFETの今後の見通し
  • 封止樹脂への要求特性と材料設計
  • 樹脂材料の高耐熱化とその評価法
  • 簡易パッケージ,モジュールとしての評価
  • パワー半導体の高温動作の必要性
  • 接合技術に求められる要件
  • 接合技術の概況とトピックス
  • 接合材料の評価方法

プログラム

第1部. パワーデバイスの開発動向と高温実装技術の必要性

(2019年5月29日 10:30〜12:00)

 2017年は、電気自動車 (EV) の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが以前主役として活躍している。本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiCパワーデバイスの最新技術、さらに最新の実装技術についても解説し、高温実装技術のご利益について説明する。

  1. パワーエレクトロニクスとは?
    1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
    5. 高温動作のメリットは?
  2. 最新シリコンIGBTの進展と課題
    1. IGBT開発のポイント
    2. IGBT特性改善を支える技術
    3. 薄ウェハ化の限界
    4. IGBT特性向上への挑戦
    5. 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. SiCのSiに対する利点
    4. 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
    5. SiC-MOSFET最新技術
    6. SiCデバイス信頼性のポイント
    7. SiC-MOSFETの今後について
  4. 高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
    3. ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
  5. まとめ
    • 質疑応答・名刺交換

第2部. 次世代パワーデバイス実装用高耐熱樹脂材料の開発・評価

(2019年5月29日 12:45〜14:15)

熱硬化性樹脂の基本と耐熱性付与及び評価について具体例をもとに説明する。
耐熱性封止材、熱伝導性接着シート材としての材料設計と検討事例。
パワーモジュールとしての評価と材料への課題。

  1. SiCパワーデバイスモジュールと実装材料
  2. パワーデバイス実装用樹脂材料に要求される性能
  3. 樹脂材料高耐熱化の設計と評価
  4. エポキシ樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂
  5. 高耐熱封止材料、高熱伝導率シート材料
  6. 評価用モジュールの設計と耐熱信頼性評価
    • 質疑応答・名刺交換

第3部. 次世代パワー半導体用高温接合技術

(2019年5月29日 14:30〜16:00)

パワー半導体の接合がなぜ必要で、どうような要件があり、現状ではどのような技術があるかを説明します。また、さまざまな実装材料がある中で、接合材料のみの特性をどのように評価したら良いか、特に信頼性の評価方法についてお話しします。

  1. EV/HV技術
  2. 次世代パワー半導体
  3. パワー半導体実装用接合技術
    1. 接合技術に求められる要件
    2. 接合技術の概況
    3. 接合技術のトピックス
      1. Cuナノ粒子接合
      2. 高融点はんだ接合
      3. 合金接合
  4. 接合技術の特性評価
    1. 試料構造
    2. 初期特性
    3. 信頼性
    • 質疑応答・名刺交換

会場

江東区文化センター

3F 第4研修室

東京都 江東区 東陽四丁目11-3
江東区文化センターの地図

主催

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