技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイスの現状・課題と最新技術動向

SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイスの現状・課題と最新技術動向

～最新のSi-IGBT, SiC, GaN, 高温対応実装技術まで～
東京都 開催 会場 開催
関連するセミナー・出版物
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する 関連するセミナー・出版物を探す

概要

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

開催日

  • 2017年12月6日(水) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • 過去30年のパワーデバイス開発の流れ
  • パワーデバイスの最新技術動向
  • SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • SiC/GaN市場予測
  • SiCデバイス実装技術
  • SiCデバイス特有の設計、プロセス技術

プログラム

　インバーターや電源などのパワーエレクトロニクス機器に利用される「パワーデバイス」の中で、大幅な効率向上や小型化を見込める次世代材料に注目が集まっている。中でも、SiC/GaNの利用環境が急速に整っている。
　SiCは、太陽光発電向けパワーコンディショナーや、鉄道車両向けインバーターなどで次々と採用され、自動車業界がSiCに強い関心を寄せている。また、GaNを利用したパワーデバイスの製品化や研究開発も加速している。しかしながら爆発的に普及するという話は一向に聞こえてこない。その理由は何か?シリコンパワー半導体からSiC/GaN開発技術動向について、今後の市場予測を含め丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクスとは?
    1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 高周波化のメリット
    5. Si-MOSFET・IGBTの伸長
    6. パワーデバイス開発のポイント
  2. 最新シリコンパワーデバイス (Si-IGBT) の進展と課題
    1. IGBT開発の歴史
    2. IGBT開発のポイント
    3. 初期のIGBTは全く売れなかった。なぜ?
    4. IGBT特性向上への挑戦
    5. 薄ウェハ フィールドストップ (FS) 型IGBTの誕生
    6. IGBT特性改善を支える技術
    7. 薄ウェハ化の限界
    8. IGBT特性改善の次の一手
    9. 新しいコンセプトのIGBT (RC-IGBT) 開発
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. SiCのSiに対する利点
    4. SiC-MOSFETかSiC-IGBTか?
    5. SiC/GaNパワーデバイスの市場予測
    6. SiCウェハができるまで
    7. SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
    8. 最近のSiC-MOSFETトピックス
    9. SiCのデバイスプロセス
    10. SiCデバイス信頼性のポイント
    11. SBD内蔵SiCトレンチMOSFET
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイスの構造
    3. SiCとGaNデバイスの対象領域
    4. GaN-HEMTデバイスの特徴
    5. ノーマリ-オフ特性
    6. GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
    7. GaN-HEMTの課題
    8. GaNパワーデバイスの弱点はなにか
    9. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. 高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
    3. パワーデバイスの動作パターン
    4. パワーデバイス動作中の素子破壊例
    5. 信頼性設計とシミュレーションの活用
  6. まとめ
    • 質疑応答・名刺交換
ページのトップヘ

講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
ページのトップヘ

会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

5F 第1講習室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
ページのトップヘ

主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 42,750円 (税別) / 46,170円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,300円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 22,500円(税別) / 24,300円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,750円(税別) / 46,170円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 72,900円(税込)
  • 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
  • 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する
ページのトップヘ

関連する出版物

発行年月
2020/12/11 2021年版 スマートデバイス市場の実態と将来展望
2020/7/17 2020年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2019/7/19 2019年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2018/11/30 EV・HEV向け電子部品、電装品開発とその最新事例
2018/3/20 レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決
2018/1/10 SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
2016/9/30 電磁波吸収・シールド材料の設計、評価技術と最新ノイズ対策
2015/6/30 導電性フィラー、導電助剤の分散性向上、評価、応用
2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書
2014/10/25 表面プラズモン技術 技術開発実態分析調査報告書
2014/10/25 表面プラズモン技術 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書
2013/10/31 ディジタルコンバータの回路と制御設計の基礎
2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書
2012/10/30 SiCパワーデバイスの開発と最新動向
2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書
ページのトップヘ