技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

プラズマダメージとアトミックレイヤーエッチング (ALE)

プラズマダメージとアトミックレイヤーエッチング (ALE)

～ドライエッチングの基礎、チャージアップダメージとALEの最新技術動向～
東京都 開催 会場 開催
関連するセミナー・出版物
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する 関連するセミナー・出版物を探す

概要

本セミナーでは、10nmノード以降の低ダメージエッチングとして有望視されている、アトミックレイヤーエッチングについて詳解いたします。
また、パワーデバイス用として低ダメージエッチングが必要とされるGaNやAlGaNのALEについても解説いたします。

開催日

  • 2017年1月18日(水) 13時00分 ～ 16時30分

修得知識

  • ドライエッチングの基礎
  • プラズマダメージの発生メカニズムから対策までの全容
  • 半導体の生産現場で実際に使われているエッチング装置、アッシング装置で発生するチャージアップと対策法
  • プラズマダメージに起因するデバイスの不良や歩留り低下に対し、実践的な対策の指針を得ることができる
  • 最近ホットな話題となっているアトミックレイヤーエッチング (ALE) の原理、応用
  • パワーデバイス用として低ダメージエッチングが必要とされるGaNやAlGaNのALE

プログラム

　ドライエッチング技術は半導体デバイスの微細化・高集積化を実現するためのキーテクノロジーです。しかしながら、プロセスにプラズマが用いられるが故にデバイスは高エネルギー粒子や荷電粒子により種々のダメージを受け、ダメージが大きい場合にはLSIの歩留りや信頼性が低下します。本セミナーではデバイスの微細化が進むにつれ深刻化しつつあるチャージアップダメージ、イオン衝撃によるSi表層部へのダメージについて、その現象を整理し、成因、低減策について詳細に解説します。また、これらのダメージがデバイス特性に及ぼす影響についても言及します。さらには10nmノード以降の低ダメージエッチングとして有望視されているアトミックレイヤーエッチングについても詳細に解説します。
　本セミナーでは、まず初めにプラズマダメージを理解する上で必用な基礎的な項目、即ちプラズマの生成や、ダメージの根源となる荷電粒子のリアクター内での動きについて、ドライエッチングに詳しくない方でも理解できるように解説します。次にチャージアップの発生メカニズム、各種エッチング装置・アッシング装置のチャージアップアップ評価、チャージアップによるゲート酸化膜破壊のメカニズムについて解説し、プロセス面、ハードウェア面、デバイスデザインルール面からの対策方法を明らかにします。ここでは、生産現場で実際に起こった不良事例も紹介します。イオン衝撃によるSi表層部へのダメージに関しては、主として高エネルギーイオンによる結晶の乱れや結晶欠陥、およびデバイス特性への影響について解説します。
　アトミックレイヤーエッチング (ALE) では、最初に原理と特徴について解説し、次にSiのALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには次世代パワーデバイスへの適用が有望視されていて、非常に低ダメージのエッチングが要求されるGaN、AlGaNのALEプロセス構築について詳細に解説します。
　本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、プラズマダメージの全容や最先端のALEを理解するのに最適な講座となっています。ドライエッチングエンジニアの方々のみならず、プラズマを使うCVDエンジニアの方々やデバイスエンジニアの方々、また半導体材料メーカーのエンジニアの方々が、現場での不良対策や今後の開発に活用するのにも役立つセミナーです。

  1. はじめに
    1. プラズマ処理によって生じる各種のダメージ
  2. ドライエッチングの基礎
    1. プラズマとは何か
    2. ドライエッチング装置の概要
    3. リアクター内での荷電粒子の動き
    4. イオンシースの形成とイオンの加速
    5. イオンエネルギーの周波数依存性
  3. チャージアップダメージ
    1. チャージアップダメージの評価方法
    2. チャージアップの発生メカニズム
    3. 各種エッチング装置のチャージアップ評価とその低減法
      1. マグネトロンRIE
      2. 平行平板プラズマエッチャー
      3. ECRプラズマエッチャー
      4. 誘導結合型プラズマエッチャー
    4. 各種アッシング装置のチャージアップ評価とその低減法
      1. バレル型アッシャー
      2. ダウンストリーム型アッシャー
    5. プラズマ処理におけるゲート酸化膜破壊のメカニズム
    6. 電子シェーディングダメージ
      1. 電子シェーディングダメージの発生メカニズム
      2. 電子シェーディングダメージの低減法
    7. ゲート酸化膜破壊の温度依存性
    8. デバイスデザインルールによるチャージアップダメージ対策
    9. チャージアップダメージによる不良事例
      1. トランジスタ特性の劣化
      2. 静電チャック起因のゲート酸化膜破壊
  4. Si表層部に導入されるダメージ
    1. 高エネルギーイオンによる結晶の乱れ・結晶欠陥
    2. 少数キャリアのライフタイムの低下
    3. コンタクト抵抗の増大
  5. アトミックレイヤーエッチング
    1. アトミックレイヤーエッチングの歴史
    2. 今なぜアトミックレイヤーエッチングが必要か?
    3. アトミックレイヤーエッチングの原理と特徴
    4. Siのアトミックレイヤーエッチング
      1. 表面粗さ
      2. Si/SiO2高選択エッチング
      3. アスペクト比依存性
    5. GaN、AlGaNのアトミックレイヤーエッチング
      1. GaN、AlGaNを用いたパワーデバイス構造
      2. GaNのアトミックレイヤーエッチング
      3. AlGaNのアトミックレイヤーエッチング
  6. まとめ
    • 質疑応答・名刺交換
ページのトップヘ

講師

ページのトップヘ

会場

連合会館

5F 502会議室

東京都 千代田区 神田駿河台三丁目2-11
連合会館の地図
ページのトップヘ

主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
  • 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
  • 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する
ページのトップヘ

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2026/9/18 2nm以降半導体向け配線技術の最新動向と材料、プロセスへの要求特性 オンライン
2026/9/18 200mm装置から300mm装置の大型化・高精度化に対応するCMP技術開発の動向 オンライン
2026/9/24 半導体パッケージの基礎知識、最新技術動向と課題 オンライン
2026/9/24 シランカップリング剤の反応、処理層、表面被覆状態、効果の解析 オンライン
2026/9/24 電子部品・材料の故障解析技術 オンライン
2026/9/25 半導体量子ビットの基礎と研究動向および技術課題と展望 オンライン
2026/9/28 半導体製造装置用セラミックス部材の開発動向とプラズマ耐性向上 オンライン
2026/9/29 塗料・塗装工程の基礎と塗膜欠陥の解析・対策技術 東京都 会場
2026/9/29 「濡れる」「濡れない」 のメカニズムと「ぬれ性」を工業的に活用・評価するためのポイント オンライン
2026/9/29 半導体市場の動向と半導体産業の今後の見通し オンライン
2026/9/29 半導体パッケージの最新動向と半導体封止材の設計・評価技術 オンライン
2026/9/30 耐指紋・防汚材料の設計・評価・応用 オンライン
2026/9/30 フォトレジストの材料設計と先端半導体プロセス技術 オンライン
2026/9/30 DFT技術の最新動向と2.5D/3D-IC対応の実践ポイント オンライン
2026/9/30 半導体ウェット洗浄の基礎・実践と最新洗浄技術 オンライン
2026/10/1 DFT技術の最新動向と2.5D/3D-IC対応の実践ポイント オンライン
2026/10/2 2nm以降半導体向け配線技術の最新動向と材料、プロセスへの要求特性 オンライン
2026/10/2 半導体 (IC) の製造工程と半導体用素部材の基本情報 オンライン
2026/10/6 薄膜の剥離・破壊のメカニズムと密着性の評価・解析および改善の手法 東京都 会場・オンライン
2026/10/7 シランカップリング剤の基礎、界面構造制御と機能材料への応用 オンライン
ページのトップヘ