技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

プラズマダメージとアトミックレイヤーエッチング (ALE)

プラズマダメージとアトミックレイヤーエッチング (ALE)

~ドライエッチングの基礎、チャージアップダメージとALEの最新技術動向~
東京都 開催 会場 開催

概要

本セミナーでは、10nmノード以降の低ダメージエッチングとして有望視されている、アトミックレイヤーエッチングについて詳解いたします。
また、パワーデバイス用として低ダメージエッチングが必要とされるGaNやAlGaNのALEについても解説いたします。

開催日

  • 2017年1月18日(水) 13時00分 16時30分

修得知識

  • ドライエッチングの基礎
  • プラズマダメージの発生メカニズムから対策までの全容
  • 半導体の生産現場で実際に使われているエッチング装置、アッシング装置で発生するチャージアップと対策法
  • プラズマダメージに起因するデバイスの不良や歩留り低下に対し、実践的な対策の指針を得ることができる
  • 最近ホットな話題となっているアトミックレイヤーエッチング (ALE) の原理、応用
  • パワーデバイス用として低ダメージエッチングが必要とされるGaNやAlGaNのALE

プログラム

 ドライエッチング技術は半導体デバイスの微細化・高集積化を実現するためのキーテクノロジーです。しかしながら、プロセスにプラズマが用いられるが故にデバイスは高エネルギー粒子や荷電粒子により種々のダメージを受け、ダメージが大きい場合にはLSIの歩留りや信頼性が低下します。本セミナーではデバイスの微細化が進むにつれ深刻化しつつあるチャージアップダメージ、イオン衝撃によるSi表層部へのダメージについて、その現象を整理し、成因、低減策について詳細に解説します。また、これらのダメージがデバイス特性に及ぼす影響についても言及します。さらには10nmノード以降の低ダメージエッチングとして有望視されているアトミックレイヤーエッチングについても詳細に解説します。
 本セミナーでは、まず初めにプラズマダメージを理解する上で必用な基礎的な項目、即ちプラズマの生成や、ダメージの根源となる荷電粒子のリアクター内での動きについて、ドライエッチングに詳しくない方でも理解できるように解説します。次にチャージアップの発生メカニズム、各種エッチング装置・アッシング装置のチャージアップアップ評価、チャージアップによるゲート酸化膜破壊のメカニズムについて解説し、プロセス面、ハードウェア面、デバイスデザインルール面からの対策方法を明らかにします。ここでは、生産現場で実際に起こった不良事例も紹介します。イオン衝撃によるSi表層部へのダメージに関しては、主として高エネルギーイオンによる結晶の乱れや結晶欠陥、およびデバイス特性への影響について解説します。
 アトミックレイヤーエッチング (ALE) では、最初に原理と特徴について解説し、次にSiのALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには次世代パワーデバイスへの適用が有望視されていて、非常に低ダメージのエッチングが要求されるGaN、AlGaNのALEプロセス構築について詳細に解説します。
 本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、プラズマダメージの全容や最先端のALEを理解するのに最適な講座となっています。ドライエッチングエンジニアの方々のみならず、プラズマを使うCVDエンジニアの方々やデバイスエンジニアの方々、また半導体材料メーカーのエンジニアの方々が、現場での不良対策や今後の開発に活用するのにも役立つセミナーです。

  1. はじめに
    1. プラズマ処理によって生じる各種のダメージ
  2. ドライエッチングの基礎
    1. プラズマとは何か
    2. ドライエッチング装置の概要
    3. リアクター内での荷電粒子の動き
    4. イオンシースの形成とイオンの加速
    5. イオンエネルギーの周波数依存性
  3. チャージアップダメージ
    1. チャージアップダメージの評価方法
    2. チャージアップの発生メカニズム
    3. 各種エッチング装置のチャージアップ評価とその低減法
      1. マグネトロンRIE
      2. 平行平板プラズマエッチャー
      3. ECRプラズマエッチャー
      4. 誘導結合型プラズマエッチャー
    4. 各種アッシング装置のチャージアップ評価とその低減法
      1. バレル型アッシャー
      2. ダウンストリーム型アッシャー
    5. プラズマ処理におけるゲート酸化膜破壊のメカニズム
    6. 電子シェーディングダメージ
      1. 電子シェーディングダメージの発生メカニズム
      2. 電子シェーディングダメージの低減法
    7. ゲート酸化膜破壊の温度依存性
    8. デバイスデザインルールによるチャージアップダメージ対策
    9. チャージアップダメージによる不良事例
      1. トランジスタ特性の劣化
      2. 静電チャック起因のゲート酸化膜破壊
  4. Si表層部に導入されるダメージ
    1. 高エネルギーイオンによる結晶の乱れ・結晶欠陥
    2. 少数キャリアのライフタイムの低下
    3. コンタクト抵抗の増大
  5. アトミックレイヤーエッチング
    1. アトミックレイヤーエッチングの歴史
    2. 今なぜアトミックレイヤーエッチングが必要か?
    3. アトミックレイヤーエッチングの原理と特徴
    4. Siのアトミックレイヤーエッチング
      1. 表面粗さ
      2. Si/SiO2高選択エッチング
      3. アスペクト比依存性
    5. GaN、AlGaNのアトミックレイヤーエッチング
      1. GaN、AlGaNを用いたパワーデバイス構造
      2. GaNのアトミックレイヤーエッチング
      3. AlGaNのアトミックレイヤーエッチング
  6. まとめ
    • 質疑応答・名刺交換

講師

会場

連合会館

5F 502会議室

東京都 千代田区 神田駿河台三丁目2-11
連合会館の地図

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
  • 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
  • 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2025/3/26 (ナノ) カーボン材料の分散制御と「マイクロ波による複合化」などの各種技術、その評価 オンライン
2025/3/26 超親水化・超撥水化のメカニズムと評価および制御技術 オンライン
2025/3/26 次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術 オンライン
2025/3/26 塗布膜の設計・形成と欠陥防止、機能性付与技術 オンライン
2025/3/27 半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2025年版) オンライン
2025/3/27 「濡れる」現象の本質理解 オンライン
2025/3/28 半導体製造における後工程・実装・設計の基礎・入門講座 オンライン
2025/3/28 基材への塗布層の形成、コーティング液の塗布技術 オンライン
2025/3/28 コールドスプレーの原理・メカニズムと応用事例 オンライン
2025/3/28 シリコン・パワー半導体におけるCMPの技術動向 オンライン
2025/3/28 半導体封止材の設計・開発とその技術および市場動向 オンライン
2025/3/28 シリコン半導体・パワー半導体への実用化に向けたCMP技術の最新動向 オンライン
2025/3/28 半導体市場の動向と日本のあるべき姿 オンライン
2025/3/31 半導体デバイスで良品を作るためのクリーン化技術 オンライン
2025/3/31 シランカップリング剤を効果的に活用するための総合知識 オンライン
2025/3/31 半導体デバイス製造工程の基礎 オンライン
2025/3/31 世界の半導体市場の動向と開発状況 オンライン
2025/4/3 半導体、回路基板、電子機器における各種部材トラブルのメカニズム、対策、解析 オンライン
2025/4/4 めっきの基礎および処理方法とトラブル対策 オンライン
2025/4/4 シリコン半導体・パワー半導体への実用化に向けたCMP技術の最新動向 オンライン

関連する出版物

発行年月
2024/9/13 世界のAIデータセンターを支える材料・デバイス 最新業界レポート
2024/8/30 塗工液の調製、安定化とコーティング技術
2024/6/19 半導体・磁性体・電池の固/固界面制御と接合・積層技術
2024/4/30 次世代半導体用の難加工結晶材料のための超精密加工技術
2024/4/1 反射防止フィルム 技術開発実態分析調査報告書
2024/4/1 反射防止フィルム 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2024/2/26 EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2024/2/26 EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書
2023/9/29 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術
2023/8/31 “ぬれ性“の制御と表面処理・改質技術
2023/5/31 塗布・乾燥のトラブル対策
2023/4/28 次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発
2022/11/29 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・汚染制御技術
2022/10/31 半導体製造におけるウェット/ドライエッチング技術
2022/6/17 2022年版 電子部品市場・技術の実態と将来展望
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕 (CD-ROM版)
2022/5/20 コーティング技術の基礎と実践的トラブル対応
2021/11/12 レジスト材料の基礎とプロセス最適化
2021/6/18 2021年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望