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熱放射によるエレクトロニクスの熱対策と採用動向

熱放射によるエレクトロニクスの熱対策と採用動向

東京都 開催 会場 開催

開催日

  • 2013年6月10日(月) 12時30分 16時45分

プログラム

第1部 エレクトロニクスの熱対策における熱放射の活用

(2013年6月10日 12:30〜13:55)

 エレクトロニクス製品は小型化とファンレス・密閉化により、ますます冷却が難しくなっている。
 ファンやヒートシンクを使って対流を促進する従来型の放熱機構が採りにくくなったため、熱伝導と熱放射のウエイトが高まってきた。ここではエレクトロニクス製品における熱問題の実情から、放熱対策の分類、熱放射の位置づけと活用について説明する。

  1. エレクトロニクスの熱問題の現状
    1. 実装技術トレンドと熱設計の重要度
    2. 熱によって引き起こされる問題
    3. 温度上昇の限界
    4. 部品の小型化による放熱構造の変化
  2. 機器の種類と熱対策の分類
    1. 電子機器の放熱ルート
    2. 対流放熱型機器と熱伝導放熱型機器
    3. ファンレス密閉機器の放熱のポイント
    4. LED照明に見る放熱経路と熱放射の役割
  3. 熱放射を活用した放熱材料とその効果
    1. 高放射塗料
    2. 高放射表面処理素材

第2部 高放射率アルミナセラミックスを用いた冷却技術

(2013年6月10日 14:05〜15:20)

 ノイズと放熱特性に優れた静かなヒートシンクについて当社の技術と実績を中心に説明する。

  1. N-9H 放射伝熱セラミックスについて
    1. 熱の伝わり方
    2. 放射率とは
  2. 放射と吸収
    1. 放射率と吸収率の関係
    2. 各種材料の放射率
    3. 印加電力とヒートシンク面積の関係
  3. 採用事例
    1. LED照明
    2. 液晶プロジェクター
    3. CPU
    4. IHヒーター用センサー
    5. IC
    6. パワートランジスター
  4. N-9Hの特徴

第3部 波長選択熱放射による電子デバイスの冷却技術

(2013年6月10日 15:30〜16:45)

 熱伝達の一つの形態である熱放射 (ふく射) のスペクトルを制御することにより、樹脂にパッケージされた電子デバイスからの放熱を促進させる基本原理と実験結果を紹介する。この技術は、発熱体表面にフォトニック構造を形成することにより、樹脂の吸収の少ない波長領域の赤外線で放熱を行うものである。

  1. はじめに
    1. 背景
    2. 熱放射の基本
    3. 波長制御による排熱促進
  2. フォトニック構造による熱放射スペクトル制御
    1. 熱放射スペクトル制御
    2. 原理
    3. 研究事例
  3. 波長選択熱放射による電子デバイスの冷却
    1. 表面微細構造の最適化
    2. 試料作成
    3. 評価結果
  4. まとめ

講師

  • 国峯 尚樹
    株式会社 サーマル・デザイン・ラボ
    代表取締役
  • 中田 光城
    西村陶業(株) 開発技術部
  • 湯上 浩雄
    東北大学 大学院 工学研究科
    教授

会場

連合会館

4階 401

東京都 千代田区 神田駿河台三丁目2-11
連合会館の地図

主催

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