技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、半導体製造工程に求められるCMPに求められる要求技術から、重要な要素技術、装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説いたします。
(2025年10月24日 10:30〜12:00)
半導体製造工程の中の平坦化プロセスであるCMPについて、平坦化=研磨工程で行われるプロセス基礎技術およびその後の洗浄工程について詳しく解説。また、今後のCMPの課題についても述べる。
(2025年10月24日 13:00〜14:30)
半導体デバイスが多様化するが、シリコンウェーハへの要求は依然として年々厳しくなっており、特にウェーハ表面の微小サイズ、20nm以下のパーティクルの管理が必要になっている。また、ウェーハ表面の金属汚染、表面粗さも管理が重要になっている。
このウェーハ特性を満たすために、シリコンウェーハの洗浄技術について、3つ重要な要素として、1汚染除去、2汚染の再付着防止、および3表面Siのエッチングがある。
さらに、洗浄技術のコンセプトは清浄な表面を維持しながら問題となる汚れを洗浄するために、バッチ式または枚葉式の洗浄方式、薬液種、プロセスを組み合わせて構築する。
今後、洗浄技術をシリコンウェーハ表面の界面化学反応を含めたサイエンスとAI (人工知能) を融合させることで、プロセスのFlexibility高くなる。それによって、将来の半導体デバイスからの要求を先取りする技術開発が重要になってくる。
(2025年10月24日 14:45〜16:15)
半導体デバイス微細化の進展や新材料導入により、CMP後洗浄技術の重要性が増している。デバイスの欠陥を減らすためには、洗浄対象に即した機能設計と、洗浄表面に対する的確な評価・解析手段が必須である。本講座では、ウェット洗浄の一般論を概説したのち、CMP後洗浄技術の基礎とそれを支える表面状態の各種評価手法について、実例を交えて紹介する。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
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