技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、更なる半導体微細化に向けたハイブリッドボンディング要素技術について解説いたします。
また、常温接合技術、洗浄プロセス、ダイシングプロセス、ダイレベルでの接着材料の開発動向について解説いたします。
(2025年5月22日 11:00〜12:00)
Moore則により発展してきた半導体デバイスにおいて、微細化による2次元的な拡張限界を解決するための技術潮流であるMore than Mooreでは、異種機能デバイスの高集積化による高機能・多機能の実現を目指す。
また、現状のスケーリング則によるデバイス間インターコネクションでは高密度化により配線間での寄生容量の増大等による信号遅延が問題化している。さらに、バンピング技術による先端半導体パッケージング技術においては、バンプピッチの狭小化によりはんだボール間のブリッジング等による信頼性低下を引き起こすため、10μmピッチが限界となっている。
そこで、これら諸問題の解決手段の一つとしてCu-Cuハイブリッド接合技術が期待されている。ハイブリッド接合は、Cu電極と絶縁材料が同一面に形成されたハイブリッド面同士を高精度に位置合わせして両材料を同時に接合する技術となり、実製品では積層型CMOSイメージセンサに適用されているものの、更なる狭小化のための技術開発が進展している。
本講座では、Cu/SiO2ハイブリッド接合技術に関する開発動向及び常温接合技術によるハイブリッド接合の実現性について展望する。
(2025年5月22日 13:00〜14:00)
半導体デバイスのさらなる微細化・高性能化に伴い、3D化やハイブリッドボンディングの導入が加速しています。本講座では接合プロセスの洗浄技術に焦点を当て、接合前後の洗浄が求められる背景や課題、最新の技術動向について解説します。
(2025年5月22日 14:10〜15:10)
現在、先端ロジックデバイスなどにおいて、D2Wのハイブリッド接合が量産適用されつつある。これを達成するために、ダイシング工程においても、チップ表面にFEOL同等の非常に高い清浄度が求められている。
本セミナーでは、ハイブリッド接合に適用されるダイシング技術について、現在の技術トレンドの解説と弊社の取り組みについて紹介する。
(2025年5月22日 15:20〜16:20)
半導体デバイスの更なる性能向上および低消費電力化に向けて、2.5Dおよび3Dチップレット集積の開発が広く進められている。現在のチップレットにおいて、垂直方向の配線接続には、はんだ マイクロバンプを用いた接合が主流となっているが、10μm以下のピッチでは課題が多く、実現が困難である。これに対して、ハイブリッド接合技術の先端チップレットへの適用が検討されているが、ダイレベルでの接合には依然として課題が多く残されている。
本講座では、ダイレベルでのハイブリッド接合を実現する際の課題を紹介するとともに、弊社の開発した新規接着材料の特性について紹介する。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 発行年月 | |
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| 2024/4/30 | 次世代半導体用の難加工結晶材料のための超精密加工技術 |
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