第1部 パワーデバイス向け封止材料の特性と高放熱化 ～Si基板から新規基板 (SiC等) への対応～

(2016年8月25日 10:30〜12:10)

　日常生活を便利に暮らすには、「電力」は必需品です。パワーデバイスはこの「電力」を制御する半導体部品であり、その性能はエネルギー消費量に直結します。つまり、時流の地球温暖化防止=省エネ化を推進できるか、この重要な鍵をパワーデバイスが握っていると言える。このため、その開発に関心が集まるようになってきました。例えば、発生損失を大幅に低減する新規基板 (SiC等) の検討を挙げることができます。
　又、パワーデバイスは動作時に発熱を伴うので、その封止材料には耐熱性や放熱性が要求されます。
　今回、パワーデバイス及びその封止材料の開発状況、現状の課題とその対策について解説します。

1. パワーデバイス
   1. 種類
   2. 用途
   3. 使用状況
   4. 市場動向
   5. 技術動向
   6. 新規基板
      • SiC
      • GaN
      • Ga2O3
2. パワーデバイスの封止技術
   1. 封止方法
   2. PKG構造
   3. 放熱構造1.パワーデバイス
   4. 種類
   5. 用途
   6. 使用状況
   7. 市場動向
   8. 技術動向
   9. 新規基板
      • SiC
      • GaN
      • Ga2O3
3. パワーデバイス用封止材料
   1. 組成
   2. 原料
   3. 製法・設備
4. パワーデバイス用封止材料の評価
   1. 成形性
   2. 一般特性
   3. 信頼性
5. パワーデバイス用封止材料の課題
   1. 高耐熱化
   2. 高純度化
   3. 高放熱化
6. パワーデバイス用封止材料の高放熱化
   1. 充填剤
   2. 充填技術
   3. 表面改質
7. 今後の展望 (パワーデバイス用材料の開発)
   1. 複合材料
   2. 自動車:ECU用外装材料
• 質疑応答

第3部 窒化物フィラーの表面処理・最密充填・低フィラー化技術

(2016年8月25日 13:00〜14:40)

1. 窒化物フィラーの種類と熱伝導率
2. 窒化物フィラーコンポジットの粘度予測
   1. コンポジットの粘度予測式と適用範囲
   2. フィラー粒度分布を考慮したコンポジットの粘度予測理論
3. 窒化物フィラーの最密充填技術と低フィラー化技術
   1. フィラー最密充填理論
   2. フィラー最密充填によるコンポジットの高熱伝導率と低粘度の両立
   3. コンピューターシミュレーションを活用した新しい充填構造設計手法
   4. フィラーのハイブリッド化とネットワーク構造形成による低フィラー化技術
4. 窒化物フィラーの表面処理技術
   1. 窒化物フィラーの表面処理事例
5. 窒化物フィラーコンポジットの熱伝導特性評価
   1. コンポジットの熱伝導率予測式
   2. 国内外での窒化物フィラーコンポジットの開発動向
• 質疑応答

第4部 SiC・GaNパワーデバイスの最新技術と封止材への課題

(2016年8月25日 14:50〜16:30)

1. パワーデバイスの現状
   1. 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
   2. なぜパワーデバイスが高温動作、高周波動作するといいのか
2. SiCパワーデバイスの現状と課題
   1. 最近のトピックス
   2. SiC-MOSFET設計のポイント
   3. SiC-MOSFETの課題
      1. ゲートしきい値変動
      2. 内蔵ダイオードVf劣化
3. GaNパワーデバイスの現状と課題
   1. 最近のトピックス
   2. GaN-HEMT設計のポイント
   3. GaN-HEMTの課題
      1. ノーマリ-オフ特性
4. 高温・高周波対応実装技術
   1. SiC-MOSFET新型パッケージ技術
   2. SiC-MOSFET新型モジュール外観と断面
• 質疑応答