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SiC、GaNを超える『究極の半導体材料』として挙げられるダイヤモンド。
ダイヤモンド半導体にはダイヤモンド半導体にしかない稀有な半導体特性も持っています。
本セミナーでは、ダイヤモンドエレクトロニクスについて、世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを開発した講師がその魅力・最新動向について解説いたします。

本セミナーでは、理論的に最も高耐圧かつ低オン抵抗を実現できる究極のパワーデバイス材料として注目されるダイヤモンド半導体について基礎から解説いたします。
ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発状況・課題と、講師が世界で初めて実現した反転層ダイヤモンドMOSFETについて合わせて解説いたします。

本セミナーでは、ダイヤモンドライクカーボン層を金属表面へ被覆し、摩擦係数の低減、耐摩耗性の改善、長期耐久性・疲労強度、フレッティング疲労強度を改善する方法とポイントについて詳解いたします。

本セミナーでは、ダイヤモンドライクカーボン層を金属表面へ被覆し、摩擦係数の低減、耐摩耗性の改善、長期耐久性・疲労強度、フレッティング疲労強度を改善する方法とポイントについて詳解いたします。

本セミナーでは、ダイヤモンド結晶の基礎から工具寿命を伸ばす方法をなどわかりやすく解説いたします。

本セミナーでは、SiC、GaNを上回る性質を持つ酸化ガリウム、そしてダイヤモンド半導体材料について、研究の現状とパワーデバイス開発動向について解説いたします。