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本セミナーでは、新しいパワー半導体として大きな可能性を秘めた二酸化ゲルマニウムを取り上げ、二酸化ゲルマニウムの基礎的な物性、現状の課題、将来性について詳細に解説いたします。

本セミナーでは、大きな可能性を秘めた新しいパワー半導体材料として注目されている二酸化ゲルマニウムを取り上げ、二酸化ゲルマニウムの基礎的な物性や世界の研究状況について解説いたします。

本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。

本セミナーでは、次世代パワーデバイスの有力候補にあげられるGaNデバイスの現状と可能性について解説いたします。

本セミナーでは、酸化ガリウム (Ga2O3) を低コストで成膜するミストCVD法と、パワーデバイス応用に重要な不純物添加技術や混晶化技術について詳解いたします。

本セミナーでは、次世代パワーデバイスについて取り上げ、現在のパワーデバイスとの比較した際のメリット、開発状況、市場に普及するためのポイント、今後の開発動向について詳解いたします。

本セミナーでは、新しいパワーデバイス半導体の材料として大きな注目を浴びている酸化ガリウム (Ga2O3) について、2名の講師がそれぞれの見地から解説いたします。
第1部では、5つの結晶多形ごとの異なる特徴や薄膜形成技術、またそれぞれの課題などについて説明いたします。
第2部では、酸化ガリウム (Ga2O3) の主要な薄膜形成手法であるミストCVDに焦点をあて、その概要とミストCVDによって作製した酸化ガリウム薄膜、酸化ガリウム半導体デバイスの特性等について解説いたします。

本セミナーでは、半導体の主要アプリケーション、半導体製品、そして主な半導体メーカーの戦略に注目して、半導体市場の現状を解説いたします。

本セミナーでは、酸化ガリウムのバルク製造技術、エピタキシャル膜成長技術、デバイス開発の進展について解説いたします。

本セミナーでは、酸化ガリウムの特徴やデバイス化における難点とそれを克服するための試みから、大きな可能性を秘めた新材料「二酸化ゲルマニウム」について解説いたします。

本セミナーでは、酸化ガリウム (Ga2O3) を低コストで成膜するミストCVD法と、パワーデバイス応用に重要な不純物添加技術や混晶化技術について詳解いたします。

本セミナーでは、次世代パワーデバイス材料として注目を集める酸化ガリウム (Ga2O3) を取り上げ、その結晶多形の特徴や形成技術、それぞれの課題について解説するとともに、ミストCVD法を中心に様々な手法でのそれぞれの結晶多形についての例を紹介いたします。

本セミナーでは、次世代パワーデバイスの有力候補にあげられるGaNデバイスの現状と可能性について解説いたします。

本セミナーでは、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説いたします。