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半導体ドライエッチングの基礎とプロセス制御技術

半導体ドライエッチングの基礎とプロセス制御技術

オンライン 開催

概要

本セミナーでは、ドライエッチングの基礎から解説し、エッチング工程のばらつき、異常を防ぐ考え方と制御方法について詳解いたします。

配信期間

  • 2026年7月14日(火) 13時00分 ~ 2026年7月23日(木) 17時00分

お申し込みの締切日

  • 2026年7月14日(火) 13時00分

修得知識

  • 半導体製造プロセス全体の中でのドライエッチングの位置づけと重要性
  • ドライエッチングの基本的な原理とメカニズム
  • 様々なドライエッチング装置の構成と要素技術
  • 最新の半導体デバイスにおけるドライエッチングの応用例とその進化の方向性
  • ドライエッチング技術が抱える課題と今後の研究開発の方向性

プログラム

 本講座では、現代の半導体製造に不可欠なドライエッチング技術について、その基礎原理から最新の技術動向、そして微細加工への応用までを包括的に解説します。半導体製造プロセス全体の理解を深めたい方、ハードウェア設計者としてプロセス技術への知見を広げたい方、または特定のプロセス技術に興味をお持ちの方々を対象に、ドライエッチングがどのように半導体デバイスの高性能化・高密度化に貢献しているのかをわかりやすくお伝えします。
 本講座を通じて、受講者の皆様が半導体産業の未来を担う技術の一端を深く理解し、自身の専門分野における新たな視点や発想を得ることを目指します。

  1. 第1部 : ドライエッチングの基礎
    1. 半導体製造プロセスにおけるエッチングの役割
      • 半導体デバイスができるまで : 主要プロセスの概観
      • エッチング工程の位置づけと役割
      • ウェットエッチングとドライエッチングの比較
      • 微細化・高集積化に伴いドライエッチングが重要となった背景
    2. ドライエッチングの基本原理
      • プラズマとは何か : 生成・維持の基本
      • プラズマ中の主要活性種
        • イオン
        • ラジカル
        • 電子
      • エッチングメカニズム
        • 物理的エッチング
        • 化学的エッチング
        • イオンアシスト反応
      • 異方性・選択比・エッチング速度を決める基本要因
    3. ドライエッチング装置の構成と要素技術
      • ドライエッチング装置の基本構成
        • 真空排気系
        • プロセスガス供給系
        • 高周波電源・マッチング
        • 電極・反応室
        • 静電チャックと温調系
        • 終点検出系
      • CCP、ICPなど代表的プラズマ源の特徴
      • 装置構成とプロセス特性の関係
  2. 第2部 : ドライエッチングのプロセス制御技術
    1. プロセス制御の基本的な考え方
      • 何を制御するのか
        • CD
        • 形状
        • 選択比
        • 均一性
        • ダメージ
        • 歩留まり
      • プロセス条件と結果の関係
      • レシピ最適化と量産安定化の違い
      • 開発段階と量産段階で異なる制御課題
    2. 主要制御パラメータとその影響
      • ガス種・ガス流量の制御
      • 圧力制御
      • ソース電力・バイアス電力制御
      • 基板温度制御
      • 時間制御とシーケンス制御
      • 壁面状態・チャンバーコンディションの影響
      • 各パラメータがエッチング速度、異方性、選択比、均一性に与える影響
    3. プロセスモニタリングと終点検出
      • 終点検出の考え方と必要性
      • OES、質量分析、電気的信号などの活用
      • インライン計測・オフライン計測との連携
      • モニタリングデータを用いた異常検知の基礎
    4. ばらつき・異常の発生メカニズムと対策
      • 面内均一性・ウェーハ間ばらつき・ロット間ばらつき
      • マイクロローディング、ARDE、ノッチング、RIEラグ
      • パーティクル、堆積膜、メモリー効果、チャンバー劣化
      • 再現性確保のためのチャンバーマッチングとコンディショニング
    5. 量産を支える制御技術
      • SPC、APC、FDCの考え方
      • Run-to-Run制御の基礎
      • レシピ管理、装置間マッチング、予防保全
      • 歩留まり改善につながるプロセス制御の実務ポイント
  3. 第3部 : 先端デバイスにおけるドライエッチングの進化
    1. 先端デバイスで高度化する制御要求
      • 3D NANDにおける高アスペクト比加工
      • FinFET/GAAにおける形状制御とダメージ抑制
      • 材料多様化に伴う選択比制御の難化
      • EUVパターニングとの連携で求められるエッチング制御
    2. 先端プロセス制御技術の最前線
      • ALE (Atomic Layer Etching)
      • 低温エッチングプロセス
      • 高選択・低損傷プロセス
      • プラズマ診断の高度化
      • AI/機械学習を活用したプロセス最適化・異常予兆検知
    3. 今後の展望
      • 環境負荷低減とプロセスガス対応
      • パワーデバイス、MEMS、先端パッケージ分野への展開
      • ドライエッチング技術者に今後求められる視点
    • 質疑応答

講師

  • 友安 昌幸 氏
    合同会社アミコ・コンサルティング
    CEO

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
複数名
: 40,000円 (税別) / 44,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 40,000円(税別) / 44,000円(税込) で受講いただけます。
  • 5名様以降は、1名あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 88,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 132,000円(税込)
    • 4名様でお申し込みの場合 : 4名で 160,000円(税別) / 176,000円(税込)
    • 5名様でお申し込みの場合 : 5名で 190,000円(税別) / 209,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 請求書は、代表者にご送付いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

アーカイブ配信セミナー

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2026年7月14日〜23日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
  • セミナー資料は別途、送付いたします。
本セミナーは終了いたしました。

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