技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

自動車の電動化に向けたシリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

自動車の電動化に向けたシリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

～パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向 / Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題 / パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測 / シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術 / SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術～
オンライン 開催
関連するセミナー・出版物
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する 関連するセミナー・出版物を探す
  • ライブ配信セミナーには、特典としてアーカイブ配信が付きます。
  • アーカイブ配信の視聴期間は、2025年8月30日〜9月5日を予定しております。
  • ライブ配信を欠席し、アーカイブ配信のみ受講をご希望の場合は、通信欄に「ライブ欠席、アーカイブのみ受講」とご記入ください。

概要

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

開催日

  • 2025年8月29日(金) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • パワー半導体デバイス、半導体パッケージの最新技術動向
  • Si – MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • パワー半導体デバイス、SiC/GaNの市場予測
  • シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
  • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術
  • 酸化ガリウムパワーデバイス技術

プログラム

　2025年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。現在その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。
　そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) とはなに
    1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 最近のトピックスから
    5. パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
    6. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
    7. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
    8. パワーデバイス開発のポイント
  2. 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
    1. パワーデバイス市場の現在と将来
    2. MOSFET特性改善を支える技術
    3. IGBT特性改善を支える技術
    4. IGBT薄ウェハ化の限界
    5. IGBT特性改善の次の一手
    6. 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
    7. シリコンIGBTの実装技術
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
    4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
    5. SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
    6. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
    7. SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
    8. 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
    9. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
    10. 内蔵ダイオード信頼性向上技術
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイスの構造
    3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
    4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
    5. GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
    6. GaN-HEMTの最新技術動向 (高耐圧化へ向けて)
    7. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
    1. 酸化ガリウムの特徴は何
    2. 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
  6. SiCパワーデバイス実装技術の進展
    1. SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
    2. 銀または銅焼結接合技術
    3. SiC-MOSFETモジュール技術
  7. まとめ
    • 質疑応答
ページのトップヘ

講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
ページのトップヘ

主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,200円 (税別) / 42,020円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 請求書は、代表者にご送付いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する
ページのトップヘ

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2025/11/28 半導体パッケージ技術の進化とそれを支える要素技術 オンライン
2025/12/4 Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの技術開発動向と日本の現状 オンライン
2025/12/4 半導体パッケージング技術の基本情報 徹底解説 オンライン
2025/12/4 自動運転を支えるセンサフュージョンの最前線 : LiDARが拓く未来 オンライン
2025/12/4 自動車リサイクルの日本および世界の現状と今後のリサイクル戦略 オンライン
2025/12/5 半導体製造におけるドライ/ウェットエッチング技術の基礎・応用と最新動向 東京都 会場
2025/12/5 自動車照明・部材の最新動向/最新アプリケーショントレンド オンライン
2025/12/8 トヨタ Woven Cityの狙いは? OEM大変革時代へ オンライン
2025/12/8 半導体パッケージの接合部における各種試験評価、分析解析技術とその応用 オンライン
2025/12/8 PFAS (有機フッ素化合物) 規制の動向と半導体産業への影響 オンライン
2025/12/10 SiC半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術 オンライン
2025/12/10 半導体デバイスの故障メカニズムと信頼性試験・寿命予測 オンライン
2025/12/11 SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向 オンライン
2025/12/11 半導体デバイスの故障メカニズムと信頼性試験・寿命予測 オンライン
2025/12/12 オフライン電源の設計 (3日間) オンライン
2025/12/12 オフライン電源の設計 (1) オンライン
2025/12/15 セラミックス合成・成形時に用いられるバインダー (結合剤) および添加剤・薬剤の種類と使い方 オンライン
2025/12/15 Si、SiC、GaN、Ga2O3パワーデバイスの技術開発動向と日本の現状 オンライン
2025/12/15 半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2025年冬版) オンライン
2025/12/15 半導体パッケージ技術の進化とそれを支える要素技術 オンライン
ページのトップヘ

関連する出版物

発行年月
2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2014/9/26 2014年版 次世代自動車市場・技術の実態と将来展望
2014/8/10 過給機(ターボチャージャ、スーパーチャージャ) 技術開発実態分析調査報告書(CD-ROM版)
2014/8/10 過給機(ターボチャージャ、スーパーチャージャ) 技術開発実態分析調査報告書
2014/4/15 自動車向け燃料電池〔米国特許版〕 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2014/4/15 自動車向け燃料電池〔米国特許版〕 技術開発実態分析調査報告書
2014/1/15 電動パワーステアリング 技術開発実態分析調査報告書
2014/1/15 電動パワーステアリング 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書
2013/10/31 ディジタルコンバータの回路と制御設計の基礎
2013/10/25 車両の自動運転技術 技術開発実態分析調査報告書
2013/10/25 車両の自動運転技術 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/9/11 新しい磁気センサとその応用
2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書
2012/10/30 SiCパワーデバイスの開発と最新動向
2012/8/31 カーオーディオ5社 技術開発実態分析調査報告書
2012/8/31 カーオーディオ5社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2012/7/26 EV・HVに向けた車載用インバータ
ページのトップヘ