技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説いたします。
SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。
本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 発行年月 | |
|---|---|
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 |
| 1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
| 1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
| 1990/6/1 | LSI周辺金属材料・技術 |
| 1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
| 1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
| 1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
| 1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |