今日、半導体デバイスの集積化・微細化は極限レベルに達しつつあります。高い性能や信頼性を持つ半導体デバイスを製造し続けるためには、基板となる半導体の表面状態 (汚染や構造) を原子・分子レベルで高度に制御する必要があります。純水や薬液をベースとしたウェット技術は、高品質の半導体表面を安定的に実現する上で、欠かすことができない基盤技術であり、その重要性は益々増しています。
　本講義では、半導体表面が関わる固液界面現象 (洗浄、研磨、濡れ特性) の特性を極微レベルで調査するための表面ナノ計測法について解説します。特に、プローブ顕微鏡法と電子分光法について、基礎から応用までじっくり解説します。興味がある方は是非、ご参加ください。

1. はじめに:半導体基板・デバイスの近年の概況
2. 半導体表面におけるウェットプロセス
3. 半導体ウェットプロセスの性能を評価する表面ナノ計測の基礎
   1. 表面汚染を検出するための高感度表面分析法
   2. ナノスケールの表面構造が観察できる測定技術
      1. 赤外吸収分光法
      2. 走査型プローブ顕微鏡
   3. 表面形状を観察するための測定技術 (光干渉法)
   4. 半導体表面上の薄膜評価技術
      1. X線光電子分光法
      2. 表面濡れ特性
      3. 湿度に依存した吸着水層厚さの極限計測
4. 洗浄・研磨を経たSi表面構造のナノ計測
5. 非Si系半導体表面に対するウェットプロセス性能の極微評価