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CMP徹底解説

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CMP徹底解説

～装置、材料、プロセスから研磨モデル、最新動向まで～
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概要

本セミナーでは、半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。
さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察する。

開催日

  • 2020年5月26日(火) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • CMPに関わる技術者
  • CMPに関わる営業マーケティング担当者

修得知識

  • CMP装置、材料、プロセスの基礎
  • CMP関連の開発や新規事業計画に役立つ知識

プログラム

　CMPという当初ゲテモノ扱いされていたプロセスが半導体製造に導入されて四半世紀以上が経過した。いまではなくてはならないキープロセスとなっており、その工程数、応用範囲はますます広がっている。
　最新のFinFET等のトランジスタ工程や3D NANDに用いられる工程を初めてとして、適用工程毎の特徴を紹介し、用いられる装置、材料について解説する。さらに、平坦化のメカニズムや材料除去のメカニズムについてもモデルを紹介する。

  1. 最新デバイス動向とCMP
    1. AIとIoT
    2. トランジスタ構造の変遷
    3. メモリデバイスの分類と動向
    4. パッケージ技術への応用
    5. 国際会議 (ICPT2019) における注目トピックス
  2. CMP装置
    1. 半導体の製造方法とCMPの歴史
    2. CMP装置の構成
    3. ヘッド構造
    4. 終点検出技術
    5. APC
  3. CMPによる平坦化
    1. CMPによる平坦化工程の分類
    2. 平坦化のメカニズム
  4. CMP消耗材料
    1. 各種スラリーの基礎
    2. 砥粒の変遷
    3. 添加剤の役割
    4. スラリーの評価方法
    5. 研磨パッドの基礎
    6. 研磨パッドの評価方法
    7. コンディショナーの役割
  5. CMPの応用
    1. CuCMPの詳細
    2. 最新のトランジスタCMP工程
    3. 各種基板CMP
    4. CMPのプロセス評価方法
  6. CMPの材料除去メカニズム
    1. 研磨メカニズムモデルの歴史
    2. 新しいモデル～Feret径モデル
    3. Feret径モデルの数値検証
    4. Feret径モデルに基づく開発のヒント
  7. まとめ
    • 質疑応答
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主催

株式会社 R&D支援センター
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お問い合わせ

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受講料

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: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)

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    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
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