技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス, GaNパワーデバイス, 酸化ガリウムパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。
(10:30~12:00)
今、世界各国が電気自動車 (EV) の開発に向けて大きく動き出している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化している。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが以前主役として活躍している。本講演では、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiCパワーデバイスの最新技術についてわかりやすく解説する。
(13:00~14:30)
GaNは、次世代パワーデバイスとして高い性能を有する材料として認識され、デバイス開発が進んでいる。GaNパワーデバイスは横型、縦型構造のデバイスが開発されており、横型GaNデバイスの高速性能は、パワーモジュールのサイズと重量を削減し、縦型GaNデバイスの低オン抵抗性能はインバータの冷却負荷の低減に効果的である。横型デバイスは現在システム応用が進展しつつある。縦型デバイスは要素技術開発の段階であるが、いくつかのブレークスルーが実現され、高性能を実証できる環境が整いつつある。本講演では最新の開発状況を概観し、将来の見通しを述べる。
(14:40~16:10)
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、物性面での課題について述べた後、最新のエピタキシャル成長およびデバイスプロセス研究開発状況、実用化に向けた展望などについて解説する。
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また、4名以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、3名様受講料 + 3名様を超える人数 × 20,000円(税込)でご受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2024/5/16 | 酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向 | オンライン | |
2024/5/16 | 電源回路設計入門 (1) | オンライン | |
2024/5/17 | 半導体装置・材料のトレンドと今後の展望 | オンライン | |
2024/5/21 | チップレット集積技術の最新動向と要素技術展望 | オンライン |
発行年月 | |
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2024/2/26 | EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 |
2024/2/26 | EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
2023/9/29 | 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術 |
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2022/11/29 | 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・汚染制御技術 |
2022/10/31 | 半導体製造におけるウェット/ドライエッチング技術 |
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2022/6/13 | パワー半導体〔2022年版〕 |
2022/6/13 | パワー半導体〔2022年版〕 (CD-ROM版) |
2021/12/10 | 2022年版 スマートデバイス市場の実態と将来展望 |
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