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スパッタリングの基礎と薄膜における内部応力抑制および付着力 (2日間)

スパッタリングの基礎と薄膜における内部応力抑制および付着力 (2日間)

東京都 開催 会場 開催 個別相談付き

概要

本セミナーは、スパッタリングプロセスの基礎から解説し、現場において遭遇する様々なトラブルに対応する力を身に付けることを目標としております。

開催日

  • 2020年2月27日(木) 12時30分 16時30分
  • 2020年2月28日(金) 10時00分 16時00分

受講対象者

  • スパッタリング・成膜に関連する技術者
    • エネルギー分野
      • 反射防止膜保護膜
      • 透過膜太陽電池
    • 光学分野
      • 増透膜
      • 反射防止膜
      • 偏光膜
      • 保護膜
      • 赤外透過膜
      • 赤外線フィルター
      • 紫外線フィルター
    • ディスプレイ
      • 絶縁膜
      • 透明電極
      • 発光膜
    • 表面処理
      • 表面硬化膜
      • 固体潤滑膜 など
  • スパッタリング・成膜で課題を抱えている方

修得知識

  • スパッタリング法の基礎
  • スパッタリング薄膜の内部応力
  • スパッタリングプロセスにおける異物発生と抑制

プログラム

 スパッタリング法は、工業的に広く使われている薄膜作製法である。スパッタリング法の特徴として、基板温度を上げることなく、物性に優れた薄膜が得られるということが挙げられる。これは、スパッタリング法においてターゲットから発生した粒子が大きなエネルギーを持つがゆえである。
 しかしながら、同時にこのスパッタ粒子の大きなエネルギーが異物の発生を引き起こしたり、薄膜に大きな応力を残留させたりするという短所をも生じさせることになる。応力の残留と、それにともなう付着力の低下はプロセスやデバイスの信頼性を保証する上での大きな問題であり、スパッタリング生産において必ず遭遇する問題であるともいえる。
 本講演では、スパッタリング法の技術基盤を学んでいくことにより、生産あるいは技術開発の現場において遭遇するいろいろなトラブルに対応する力を身につけていくことを目標とし、スパッタリングプロセスの特徴とスパッタリングプロセスにより得られる薄膜物性の特徴を解説する。生産あるいは技術開発の現場で活躍するエンジニアに必須の講義である。

  1. 基盤技術
    1. 真空の基礎
    2. プロセスプラズマの基礎
    3. 薄膜成長機構の基礎
  2. スパッタリング法の基礎
    1. スパッタリングとは
    2. スパッタリング率とスパッタリング粒子の持つエネルギー・サーマライゼーション
    3. スパッタリング法により堆積された薄膜構造の特徴
      1. スパッタリングされた粒子の持つエネルギーの膜構造への影響
      2. 基板温度・放電圧力の膜構造への影響
      3. スパッタリング法の非平衡性とその薄膜物性への影響
  3. 各種スパッタリング法
    1. 直流スパッタリング法
    2. 高周波スパッタリング法
    3. イオンビームスパッタリング法
    4. 反応性スパッタリング法
      1. 反応性スパッタリング法と非反応性スパッタリング法
      2. 化合物モードと金属モード
      3. 化合物薄膜堆積における薄膜堆積速度の向上
      4. 化合物薄膜堆積における負イオンの影響
  4. 弱点を克服したスパッタリング法
    1. パルススパッタリング法とACスパッタリング法
    2. ハイパワーパルススパッタリング法
    3. イオン化スパッタリング法
    4. 分離スパッタリング法
  5. スパッタリングターゲット
    1. スパッタリングターゲットの役割
    2. スパッタリングターゲットに求められる品質
    3. ターゲット品質の薄膜物性および再現性への影響
    4. ターゲット組成と薄膜組成
  6. 薄膜における内部応力
    1. 内部応力とは
    2. 内部応力の種類と発生機構
    3. 内部応力の評価方法
    4. 薄膜の構造と内部応力
    5. 内部応力評価の実例
    6. 応力の抑制方法
  7. 薄膜の付着力とは
    1. 付着のメカニズム
    2. 付着力と応力 – 力がかからなければ薄膜ははがれない –
    3. 付着力の評価方法
    4. 付着力評価の例
    5. 付着力の向上手法
    6. 基板硬さと付着力の関係
  8. スパッタリングプロセスのさらなる安定化を目指して
    1. チャンバー内の状態がプラズマの安定性に与える影響
    2. チャンバー内の状態が薄膜物性に与える影響
    3. ターゲットの状態がプラズマおよび薄膜物性に与える影響
    4. パッシブ制御から予知制御へ
  9. まとめ
    • 質疑応答

会場

江東区産業会館

第4展示室

東京都 江東区 東陽4丁目5-18
江東区産業会館の地図

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 63,000円 (税別) / 69,300円 (税込)
複数名
: 31,500円 (税別) / 34,650円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 31,500円(税別) / 34,650円(税込) で受講いただけます。

  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 58,000円(税別) / 63,800円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 63,000円(税別) / 69,300円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 94,500円(税別) / 103,950円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 63,000円(税別) / 69,300円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 126,000円(税別) / 138,600円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 189,000円(税別) / 207,900円(税込)

アカデミック割引

  • 1名様あたり 20,000円(税別) / 22,000円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

本セミナーは終了いたしました。

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