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ダイヤモンドエレクトロニクスの基礎と技術動向
ダイヤモンドエレクトロニクスの基礎と技術動向
～実用化へ着々と開発が進む次世代半導体の現状とその将来性を探る / 酸化ガリウム、ダイヤモンドの開発状況と実用化への課題～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
SiC、GaNを超える『究極の半導体材料』として挙げられるダイヤモンド。
ダイヤモンド半導体にはダイヤモンド半導体にしかない稀有な半導体特性も持っています。
本セミナーでは、ダイヤモンドエレクトロニクスについて、世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを開発した講師がその魅力・最新動向について解説いたします。
開催日
- 2019年7月1日(月) 13時00分 ～ 16時30分
プログラム
ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。また、近年ではダイヤモンド中の窒素 – 空孔 (NV) 中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの応用が期待されています。
本講演では、半導体材料としてのダイヤモンドの魅力、そしてダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、ダイオード、トランジスタ、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発状況、課題および展望について、我々の研究成果 (例:世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等) を中心に解説します。
- はじめに
- 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
- ダイヤモンド半導体研究の歴史
- ダイヤモンドウェハ製造技術
- 成長技術
- 高温高圧
- プラズマCVD
- 熱フィラメントCVD
- 不純物ドーピング技術
- スライス・カット技術
- 研磨技術
- 成長技術
- ダイヤモンドダイオード
- ショットキーバリアダイオード
- PN接合ダイオード
- ショットキーPNダイオード (SPND)
- ダイヤモンドトランジスタ
- MESFET
- JFET
- BJT
- MOSFET
- その他のデバイス応用
- 励起子を用いた深紫外線発光デバイス
- 負の電子親和力を用いた電子放出デバイス
- ダイヤモンド中 窒素 – 空孔 (NV) 中心を用いた量子デバイス/センサ
- まとめと今後の展開
- 質疑応答・名刺交換
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
:
20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
- 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。 - 他の割引は併用できません。
本セミナーは終了いたしました。
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