SiC / GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

～EV対応に向けた性能、信頼性の向上～

東京都開催会場開催

概要

本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに、最新の実装技術についても解説いたします。
特にSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントについて、丁寧に解説いたします。

開催日

2018年9月28日(金) 10時30分～ 16時30分

受講対象者

パワーデバイス、SiC半導体、GaN半導体に関連する技術者

修得知識

パワーデバイスの最新技術動向
SiCパワーデバイス / GaNパワーデバイスの特長と課題
SiCデバイス実装技術
SiCデバイス特有の設計、プロセス技術
SiCパワーデバイス / GaNパワーデバイスの今後の見通し

プログラム

　2017年は、電気自動車 (EV) の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
　本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに、最新の実装技術についても解説する。特にSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて丁寧に解説したい。

パワーエレクトロニクスとは?
1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
2. パワー半導体の種類と基本構造
3. パワーデバイスの適用分野
4. 高周波動作のメリットは?
5. シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
6. パワーデバイス開発のポイントは何か?
最新シリコンIGBTの進展と課題
1. IGBT開発のポイント
2. IGBT特性向上への挑戦
3. 薄ウェハフィールドストップ (FS) 型IGBTの誕生
4. IGBT特性改善を支える技術
5. 薄ウェハ化の限界
6. 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
SiCパワーデバイスの現状と課題
1. 半導体デバイス材料の変遷
2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
3. SiCのSiに対する利点
4. 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
5. SiCウェハができるまで
6. SiC-ダイオードそしてSiC-MOSFET開発へ
7. 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
8. なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか?
9. SiCのデバイスプロセス
10. SiCデバイス信頼性のポイント
11. 最新SiCトレンチMOSFET
GaNパワーデバイスの現状と課題
1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
2. GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
3. GaN-HEMTデバイスの特徴
4. GaN-HEMTのノーマリーオフ化
5. GaN-HEMTの課題
6. Current Collapse現象メカニズム
7. GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
8. 縦型GaNデバイスの最新動向
高温対応実装技術
1. 高温動作ができると何がいいのか
2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
3. ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
まとめ

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会場

江東区役所商工情報センター (カメリアプラザ)

9F 研修室

東京都江東区亀戸2-19-1

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主催

株式会社 R&D支援センター

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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)

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- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 43,750円(税別) / 47,250円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 46,278円(税別) / 49,980円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 69,417円(税別) / 74,970円(税込)
R&D支援センターからの案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 46,278円(税別) / 49,980円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 92,556円(税別) / 99,960円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 138,833円(税別) / 149,940円(税込)

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開始日時		開催方法
2026/9/3	オフライン電源の設計 (3日間)	オンライン
2026/9/3	半導体リソグラフィの全体像	オンライン
2026/9/3	オフライン電源の設計 (2)	オンライン
2026/9/4	半導体リソグラフィの全体像	オンライン
2026/9/7	電子機器におけるEMC・ノイズ対策設計の基礎と実践	オンライン
2026/9/8	次世代半導体実装用樹脂・基板材料の開発と技術動向	オンライン
2026/9/8	オフライン電源の設計 (3)	オンライン
2026/9/9	先端半導体パッケージング・実装技術の研究開発動向	オンライン
2026/9/9	CMP装置技術の実践知見	オンライン
2026/9/10	先端半導体パッケージの後工程・実装技術と高機能テープ材料の開発	オンライン
2026/9/10	CMP装置技術の実践知見	オンライン
2026/9/11	パワーエレクトロニクスの基礎と次世代パワー半導体セミナー	オンライン
2026/9/11	次世代パワーデバイス開発の最前線	オンライン
2026/9/11	設計者CAEのための材料力学 (理論と手計算)	オンライン
2026/9/14	次世代AIハードウェア (ニューロモルフィック、物理リザバー、インセンサコンピューティング) の最新動向とナノ材料AIデバイスの構築・実装・応用	オンライン
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2026/9/16	人工ダイヤモンドの最新技術と産業応用最前線	オンライン
2026/9/16	クライオエッチングの基礎・現状・課題と最新技術動向	オンライン

発行年月
2020/12/11	2021年版スマートデバイス市場の実態と将来展望
2020/7/17	2020年版電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2020/3/19	低炭素社会とバッテリーアグリゲーション
2020/1/24	2020年版太陽光発電市場・技術の実態と将来展望
2019/12/13	2020年版次世代自動車市場・技術の実態と将来展望
2019/7/19	2019年版電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2019/4/1	車載用LIBの急速充電性能・耐久性と市場
2019/1/25	2019年版太陽光発電市場・技術の実態と将来展望
2018/12/14	2019年版次世代自動車市場・技術の実態と将来展望
2018/11/30	EV・HEV向け電子部品、電装品開発とその最新事例
2018/3/20	レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決
2018/1/10	SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
2017/5/25	EVに最適なバッテリーマネジメント技術と市場
2017/4/27	実務対応・LiBの規格と安全性試験のEV対応 2017
2017/3/10	ZEV規制とEV電池テクノロジー
2016/12/16	2017年版次世代エコカー市場・技術の実態と将来展望
2016/9/30	電磁波吸収・シールド材料の設計、評価技術と最新ノイズ対策
2016/2/26	2016年版車載用・産業用蓄電池市場の実態と将来展望
2016/2/20	自動車用プラスチック部品・材料の新展開 2016
2015/6/30	導電性フィラー、導電助剤の分散性向上、評価、応用

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