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SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載展望
SiCパワーデバイスの開発、実装技術と車載展望
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。
開催日
- 2018年8月8日(水) 10時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- SiC半導体、パワーデバイスに関連する技術者、開発者、販売担当者
- 電気・エネルギー関連
- 電力変換回路
- 自動車
- ハイブリッド車
- 電気自動車
- 電車
- PC
- 家電
- エレベータ
- インバーター
- 無停電電源装置 など
修得知識
- SiCパワーデバイスの特長と課題
- 過去30年のパワーデバイス開発の流れ
- パワーデバイス全体の最新技術動向
- SiCデバイス実装技術
- SiCデバイス特有の設計、プロセス技術
プログラム
本講座では、SiCパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。2017年は、電気自動車 (EV) の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
本講座では、SiCパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。
- パワーエレクトロニクスとは?
- パワエレ&パワーデバイスの仕事
- パワーデバイスの種類と基本構造
- パワーデバイスの適用分野
- 高周波動作のメリットは
- シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
- パワーデバイス開発のポイントは何か
- 最新シリコンIGBTの進展と課題
- IGBT開発のポイント
- IGBT特性向上への挑戦
- 薄ウェハ フィールドストップ (FS) 型IGBTの誕生
- IGBT特性改善を支える技術
- 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
- 新構造IGBT:逆導通IGBT (RC-IGBT) の開発
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- ワイドバンドギャップ半導体とは?
- SiCのSiに対する利点
- 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
- SiCウェハができるまで
- 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
- なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか?
- SiCのデバイスプロセス
- SiCデバイス信頼性のポイント
- 最新SiCトレンチMOSFET
- 高温対応実装技術
- 高温動作ができると何がいいのか
- SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
- ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
- まとめ
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
44,444円 (税別) / 48,000円 (税込)
複数名
:
20,370円 (税別) / 22,000円 (税込)
(案内をご希望の場合に限ります)
案内割引・複数名同時申込割引について
シーエムシーリサーチからの案内をご希望の方は、割引特典を受けられます。
また、2名以上同時申込で全員案内登録をしていただいた場合、2名様目以降は半額 (税込 22,000円)となります。
- Eメール案内を希望する方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 40,741円(税別) / 44,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 61,111円(税別) / 66,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 81,481円(税別) / 88,000円(税込)
- Eメール案内を希望しない方
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,370円(税別) / 49,000円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,741円(税別) / 98,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 136,111円(税別) / 147,000円(税込)
アカデミック割引
- 1名様あたり 23,148円(税別) / 25,000円(税込)
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。
本セミナーは終了いたしました。
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