最近、Si基板上のAlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイスの研究開発が注目を浴びている。
本講座では、MOCVD法を用いて成長した大口径Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長、デバイス特性及び研究開発動向に関して解説する。

1. MOCVDを用いたヘテロエピタキシャル成長
   1. ヘテロエピタキシャル成長の原理
   2. Si基板上のGaAs結晶成長
   3. Si基板上のGaN結晶成長 ～厚膜化および高品質化～
   4. 各種基板上のGaNの比較 ～Si基板の利点～
2. GaN-on-Siのパワーデバイスへの適用
   1. 研究開発の動向
   2. GaN-on-Siパワーデバイスの応用分野
   3. Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造
   4. 静特性、耐圧、オン抵抗
   5. V型ピットの与える影響
3. 課題と将来展望
   1. GaN-on-Siの8インチ化
   2. ALD法を用いた絶縁膜形成技術
   3. ノーマリオフ特性
   4. InAlN/GaN HEMT
4. GaN-on-Siのまとめ
• 質疑応答・個別質問・名刺交換