ULSI半導体デバイスの微細化に伴い、半導体デバイスの製造現場では、パーティクル (異物微粒子) や金属不純物、表面吸着化学汚染 (無機/有機汚染によるケミカル・コンタミネーション) など様々な微小な汚染物質が、半導体デバイスの歩留りや信頼性にますます大きな悪影響を及ぼすようになっています。半導体プロセスは、そのすべてが汚染の発生源と言っても過言ではありません。
　このため、製造ラインの超クリーン化 ～全工程にわたり、いかに汚染を防止し、Siウェーハ表面をクリーンに保つか～ の重要性が一段と高まっています。設計ルールが20nmを切り、1xnm時代を迎えるに至り、今後は今まで問題にしてこなかったナノパーティクルの計測と防止・除去が大きな課題となります。また、イメージセンサでは金属汚染低減が最大の課題となっています。超クリーン化技術は、これまでノウハウとして門外不出の内向きの技術領域として扱われてきましたたが、半導体製造の根幹である半導体表面クリーン化の視点に立った科学的アプローチが必要です。
　本セミナーでは、歩留り向上のためのULSI半導体クリーン化技術 (ウェーハ表面の汚染をいかに防止するか) について、その基礎から最先端技術までを、実践的な観点から豊富な事例を交えて、初心者にも分かりやすく、かつ具体的に徹底解説します。
米国・台湾・日本の様々な半導体クリーンルームや製造現場 (450mm～150mmウェーハライン) の実写ビデオを見て議論しながら、考える学習をしましょう。

1. 予備ビデオ学習 ～半導体製造現場・クリーンルーム見学～
   1. 最先端 (300/450mmFOUP方式) 半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
      • G450C
      • Intel
      • Taiwan Semiconductor Manufacturingなど
   2. 旧来 (150/200mmオープンカセット方式半導体工場クリーンルーム・製造現場見学
      • 米Texas Instruments
      • 国内メーカーなど
2. クリーン化の目的 (なぜクリーン化すべきか?)
   1. 歩留りの種類
   2. 歩留り向上の重要性
   3. 歩留りの低下要因
   4. 歩留り予測モデル (歩留りの科学)
3. クリーン化の対象 (何をクリーン化すべきか?)
   1. 半導体製造における空気清浄度の推移
   2. ウェーハ搬送方式の推移
   3. 汚染発生源の推移
   4. ミニエンバイロンメント (200/300/450mm用)
   5. 半導体製造におけるクリーン化の優先順位
   6. 半導体製造における汚染の実態とそれぞれの汚染によるデバイス不良例
   7. ウェーハ表面汚染の種類と主なデバイス特性への影響
   8. 半導体製造装置・プロセスの主な発塵源
4. 半導体表面クリーン化の手法 (汚染をどのように防止すべきか?)
   1. ウェーハ表面の汚染分析手法
   2. 半導体プロセスにおけるパーティクルの低減・防止対策
   3. 半導体プロセスにおける金属汚染の低減・防止策
   4. 半導体プロセスにおける無機化学汚染の低減・防止策
   5. 半導体プロセスにおける有機化学汚染の低減・防止策
   6. ホットトピック:FOUP内の窒素パージによる各種汚染の防止策
5. まとめ
   1. クリーン化技術のパラダイム転換
   2. 今まで計測できなかったナノパーティクルの課題と展望