パワーエレクトロニクスの基幹部品であるスイッチングデバイスMOSFETやIGBTの進化はめざましいものがある。特に近年、開発が急速に進んでいるSiCやGaNは、小型化、低損失化の切り札となりつつある。しかし、これらの高性能スイッチング素子は正しく使いこなさなければ、期待通りの効果は得られない。
　本セミナーでは、IGBT,MOSFETの基本的な駆動方法から,スイッチング素子を使い切るための熱設計,高速スイッチング素子特有の実装方法,ノイズ対策など幅広く講演する。また,SiCやGaNを使った最新の研究開発事例も紹介する。

1. スイッチング素子とパワーエレクトロニクス
   1. パワーエレクトロニクスとは
   2. スイッチング素子が使われる理由
   3. 電力変換回路の基本回路
2. スイッチング素子とその特徴
   1. ダイオード
   2. IGBT
   3. MOSFET
   4. SiC/GaN
3. スイッチング素子の選定
   1. 損失計算法
   2. 熱計算
   3. インバータの電流容量とスイッチング素子の電流定格
4. スイッチング素子の使いこなし技術
   1. 駆動方法 (ドライブ回路) とその周辺
   2. MOSFETとIGBTの使い分けと注意点
   3. スナバ回路
   4. 実装時の注意
   5. ノイズ対策
   6. SiC/GaNでの注意点
5. 回路トポロジーが進化する最新デバイス適用事例の紹介
   1. マルチレベルコンバータ
   2. マトリックスコンバータ
   3. SiC/GaNを用いた電力変換器
6. まとめ