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次世代ディスプレイの実現に向けた酸化物半導体の基礎と将来展望

次世代ディスプレイの実現に向けた酸化物半導体の基礎と将来展望

～シリコンを凌駕する酸化物半導体の魅力とは～
東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2012年10月25日(木) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • 酸化物半導体に関連する技術者
    • ディスプレイ
    • 薄膜トランジスタ
    • タッチパネル など

修得知識

  • 酸化物材料の基礎
  • 薄膜トランジスタの動作原理
  • 薄膜トランジスタの製造プロセス
  • 薄膜トランジスタの高性能化技術
  • 薄膜トランジスタの信頼性評価技術
  • 薄膜トランジスタの劣化メカニズム
  • 酸化物半導体の展望

プログラム

　ZnOを中心とする酸化物半導体は透明ディスプレイなど次世代情報端末の実現に重要な材料である。移動度の高い高性能薄膜トランジスタを低温プロセスで大面積基板の上に形成できるなど、すぐれた特徴を持つ。
　本講演では非晶質InGaZnO薄膜やZnO薄膜を中心に、基本的な材料物性、薄膜トランジスタの動作原理、作製プロセス (液体プロセスから真空プロセスまで) 、高性能化技術、高信頼性化技術など、幅広くその関連技術を紹介し、さらにはその将来を展望する。

  1. 透明酸化物薄膜の基礎物性
    1. 酸化物材料の歴史
    2. 酸化物材料の電気伝導
  2. 薄膜トランジスタの動作原理
    1. デバイス構造
    2. 酸化物TFTの性能評価技術
  3. 薄膜トランジスタの製造プロセス
    1. 薄膜形成技術
    2. 製造プロセス
      • 真空プロセス
      • 液体プロセス
  4. 高性能化技術
    1. 界面制御
    2. レーザ照射法
    3. 高圧水蒸気処理法
  5. 信頼性評価技術
    1. 劣化メカニズム
      • 電気的劣化
      • 発熱劣化
      • 光劣化
    2. 評価手法
    3. 高信頼性化技術
  6. 酸化物半導体の将来展望
    1. 酸化物TFTの今後
    2. 新応用技術
    • 質疑応答
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講師

  • 浦岡 行治 氏
    奈良先端科学技術大学院大学 マテリアル研究プラットフォームセンター
    センター長
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会場

大田区産業プラザ PiO

6F D会議室

東京都 大田区 南蒲田1-20-20
大田区産業プラザ PiOの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 47,250円 (税込)
複数名
: 38,000円 (税別) / 39,900円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
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