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SiC-MOSFETの開発現状と製品化ならびにSi-IGBTの最新動向

SiC-MOSFETの開発現状と製品化ならびにSi-IGBTの最新動向

東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2012年5月10日(木) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など
  • IGBT、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの現状と課題、最新技術動向を把握したい方

修得知識

  • パワーデバイスの市場動向
  • IGBT、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの現状と課題、最新技術動向を把握したい方

プログラム

  1. パワーデバイスの現状
    ～パワーデバイスの市場動向、市場要求
  2. IGBTの進展
    1. なぜIGBTがパワーデバイスの主役になったのか
    2. IGBT開発の歴史
    3. IGBT最新技術動向
    4. 次世代IGBTについて
      • RB-IGBT,RC-IGBTとは何か?
  3. SJ-MOSFETの進展
  4. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜSiCが注目されているのか
      • SiCの特徴は?
      • MOSFETがいいのかIGBTかがいいのか?
    2. SiC-MOSFETの開発状況
      • 最新学会発表論文、新聞記事紹介
    3. SiCモジュールの課題
      • 実用化を妨げる問題は何か?
  5. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNが注目されているのか
    2. GaNパワーデバイスの開発
      • 最新学会発表論文、新聞記事紹介
  6. まとめ
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講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
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会場

株式会社オーム社 オームセミナー室
東京都 千代田区 神田錦町3-1
株式会社オーム社 オームセミナー室の地図
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主催

株式会社 トリケップス
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 43,000円 (税別) / 45,150円 (税込)
1口
: 55,000円 (税別) / 57,750円 (税込) (3名まで受講可)

割引特典について

  • 複数名 同時受講:
    1口 57,750円(税込) (3名まで受講可能)
  • 早期申込割引:
    2012年2月29日 17:00までのお申込は、
    1名受講・1口受講とともに受講料から10%割引となります。
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