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SiC-MOSFETの開発現状と製品化ならびにSi-IGBTの最新動向
SiC-MOSFETの開発現状と製品化ならびにSi-IGBTの最新動向
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
開催日
- 2012年5月10日(木) 10時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- パワーデバイスに関連する技術者
- 電気・エネルギー関連
- 電力変換回路
- 自動車
- ハイブリッド車
- 電気自動車
- 電車
- PC
- 家電
- エレベータ
- インバーター
- 無停電電源装置 など
- IGBT、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの現状と課題、最新技術動向を把握したい方
修得知識
- パワーデバイスの市場動向
- IGBT、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの現状と課題、最新技術動向を把握したい方
プログラム
- パワーデバイスの現状
～パワーデバイスの市場動向、市場要求 - IGBTの進展
- なぜIGBTがパワーデバイスの主役になったのか
- IGBT開発の歴史
- IGBT最新技術動向
- 次世代IGBTについて
- RB-IGBT,RC-IGBTとは何か?
- SJ-MOSFETの進展
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- なぜSiCが注目されているのか
- SiCの特徴は?
- MOSFETがいいのかIGBTかがいいのか?
- SiC-MOSFETの開発状況
- 最新学会発表論文、新聞記事紹介
- SiCモジュールの課題
- 実用化を妨げる問題は何か?
- なぜSiCが注目されているのか
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNが注目されているのか
- GaNパワーデバイスの開発
- 最新学会発表論文、新聞記事紹介
- まとめ
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
43,000円 (税別) / 45,150円 (税込)
1口
:
55,000円 (税別) / 57,750円 (税込)
(3名まで受講可)
割引特典について
- 複数名 同時受講:
1口 57,750円(税込) (3名まで受講可能) - 早期申込割引:
2012年2月29日 17:00までのお申込は、
1名受講・1口受講とともに受講料から10%割引となります。
本セミナーは終了いたしました。
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