2026年、世界はAIデータセンター電源の高効率・大容量化と、自動車電動化 (xEV) の再加速に向けて大きく動いている。AIサーバ電源やxEVの性能を左右する中核部品であるパワーデバイスでは、SiC・GaNデバイスが次世代の本命として急速に存在感を高めている。すでに実機搭載も進みつつあり、今後はシリコンMOSFET・IGBTをどこまで凌駕できるかが焦点となる。
　鍵を握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、新材料デバイスがどのように市場要求へ応えていくかである。本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、さらに注目を集める酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの可能性、実装技術、そして市場予測までを、わかりやすくかつ丁寧に解説する。

1. パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) とはなに?
   1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
   2. パワー半導体の種類と基本構造
   3. パワーデバイスの適用分野
   4. AIデーターサーバ電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス
   5. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
   6. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
   7. パワーデバイス開発のポイント
2. 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
   1. パワーデバイス市場の現在と将来
   2. MOSFET特性改善を支える技術
   3. IGBT特性改善を支える技術
   4. IGBT薄ウェハ化の限界
   5. MOSFET・IGBT特性改善の次の一手
   6. シリコンIGBTの実装技術
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
   1. 半導体デバイス材料の変遷
   2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
   3. なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
   4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
   5. SiC-MOSFETの勝ち筋
   6. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
   7. SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
   8. 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
   9. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
   10. 内蔵ダイオード信頼性向上技術
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
   1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
   2. GaNデバイスの構造
   3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
   4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
   5. GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
   6. GaN-HEMTの最新技術動向 (高耐圧化へ向けて)
   7. 縦型GaNデバイスの最新動向
5. 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
   1. 酸化ガリウムの特徴は何
   2. 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
6. SiCパワーデバイス実装技術の進展
   1. SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
   2. 銀または銅焼結接合技術
   3. SiC-MOSFETモジュール技術
7. まとめ
• 質疑応答